STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 26 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65N1 AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 36,65

(ekskl. moms)

Kr. 45,81

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 17. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 36,65
10 - 24Kr. 35,46
25 - 99Kr. 34,71
100 - 499Kr. 29,70
500 +Kr. 27,83

*Vejledende pris

RS-varenummer:
762-553
Producentens varenummer:
STHU65N110DM9AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

HU3PAK

Serie

STHU65N1

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

7

Drain source modstand maks. Rds

110mΩ

Kanalform

N

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

179W

Portkildespænding maks.

±30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

78nC

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

11.9mm

Bredde

14.1 mm

Højde

0.95mm

Standarder/godkendelser

AEC-Q101

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
JP
STMicroelectronics N-kanals Super Junction Power MOSFET er en højtydende strømforsyning bygget på Advanced MDmesh M9 super junction-teknologi. Den er designet til mellem- og højspændingsanvendelser, hvor lave ledningstab og hurtig skifte er afgørende.

Meget lav FOM

Højere dv/dt-kapacitet

Fremragende skifteydelse

100% lavine testet

Relaterede links