STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 26 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65N1 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 762-553
- Producentens varenummer:
- STHU65N110DM9AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 26,48
(ekskl. moms)
Kr. 33,10
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 26,48 |
| 10 - 24 | Kr. 25,66 |
| 25 - 99 | Kr. 25,06 |
| 100 - 499 | Kr. 21,47 |
| 500 + | Kr. 20,12 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 762-553
- Producentens varenummer:
- STHU65N110DM9AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 26A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | HU3PAK | |
| Serie | STHU65N1 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 7 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 110mΩ | |
| Kanalform | N | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 78nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 179W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 11.9mm | |
| Højde | 0.95mm | |
| Standarder/godkendelser | AEC-Q101 | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 26A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype HU3PAK | ||
Serie STHU65N1 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 7 | ||
Drain source modstand maks. Rds 110mΩ | ||
Kanalform N | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 78nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 179W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 11.9mm | ||
Højde 0.95mm | ||
Standarder/godkendelser AEC-Q101 | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- JP
STMicroelectronics N-kanals Super Junction Power MOSFET er en højtydende strømforsyning bygget på Advanced MDmesh M9 super junction-teknologi. Den er designet til mellem- og højspændingsanvendelser, hvor lave ledningstab og hurtig skifte er afgørende.
Meget lav FOM
Højere dv/dt-kapacitet
Fremragende skifteydelse
100% lavine testet