STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Udtømning, 3 Ben, Hip-247, SCT
- RS-varenummer:
- 202-5488
- Producentens varenummer:
- SCTW35N65G2VAG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 111,90
(ekskl. moms)
Kr. 139,88
(inkl. moms)
Tilføj 5 enheder for at opnå gratis levering
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 21. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 4 | Kr. 111,90 |
| 5 - 9 | Kr. 108,98 |
| 10 + | Kr. 106,29 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 202-5488
- Producentens varenummer:
- SCTW35N65G2VAG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 45A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | Hip-247 | |
| Serie | SCT | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.055Ω | |
| Kanalform | Udtømning | |
| Portkildespænding maks. | 22 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 240W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 3.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 73nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 200°C | |
| Højde | 34.95mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bredde | 5.15 mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 45A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype Hip-247 | ||
Serie SCT | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.055Ω | ||
Kanalform Udtømning | ||
Portkildespænding maks. 22 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 240W | ||
Gennemgangsspænding Vf 3.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 73nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 200°C | ||
Højde 34.95mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Længde 15.75mm | ||
Bredde 5.15 mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.
Meget hurtig og robust intrinsic body diode
Lav kapacitet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 45 A 650 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 33 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 65 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 16 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 1200 V Udtømning Hip-247, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring HIP-247-3, SCT AEC-Q101 SCT018W65G3AG