STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Udtømning, 3 Ben, Hip-247, SCT

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 2.768,28

(ekskl. moms)

Kr. 3.460,35

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. februar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 92,276Kr. 2.768,28

*Vejledende pris

RS-varenummer:
202-5487
Producentens varenummer:
SCTW35N65G2VAG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

Hip-247

Serie

SCT

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.055Ω

Kanalform

Udtømning

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Driftstemperatur maks.

200°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

34.95mm

Længde

15.75mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Lav kapacitet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.