STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 45 A 650 V Udtømning, 3 Ben, Hip-247, SCT Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rør af 30 enheder)*

Kr. 2.833,05

(ekskl. moms)

Kr. 3.541,32

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. september 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
30 +Kr. 94,435Kr. 2.833,05

*Vejledende pris

RS-varenummer:
202-5487
Producentens varenummer:
SCTW35N65G2VAG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

45A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Serie

SCT

Emballagetype

Hip-247

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.055Ω

Kanalform

Udtømning

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

73nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

3.3V

Effektafsættelse maks. Pd

240W

Portkildespænding maks.

22 V

Driftstemperatur maks.

200°C

Bredde

5.15 mm

Længde

15.75mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

34.95mm

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics siliciumkarbid-power MOSFET i bilkvalitet er udviklet med ST's Advanced og innovative 2. Generation af SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en bemærkelsesværdig lav modstand på enheden pr. enhedsområde og en meget god skifteevne.

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Lav kapacitet

Relaterede links