STMicroelectronics 1 Type N-Kanal, MOSFET Forbedring, 4 Ben, Hip-247-4, SCT

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 106,96

(ekskl. moms)

Kr. 133,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Nyt produkt - forudbestil i dag
  • Afsendelse fra 20. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 106,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
214-964
Producentens varenummer:
SCT070W120G3-4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Serie

SCT

Emballagetype

Hip-247-4

Benantal

4

Kanalform

Forbedring

Antal elementer per chip

1

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics siliciumkarbid Power MOSFET-enhed er udviklet ved hjælp af ST's avancerede og innovative 3. generation SiC MOSFET-teknologi. Enheden har en meget lav RDS(on) over hele temperaturområdet kombineret med lave kapaciteter og meget høje koblingsfunktioner, som forbedrer anvendelsesydelse med hensyn til frekvens, energieffektivitet, systemstørrelse og vægtreduktion.

Høj hastighed ved skift

Meget hurtig og robust intrinsic body diode

Relaterede links