STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej STD11N60DM2

Se alle MOSFET

Indhold (1 pakke af 5 enheder)*

Kr. 49,54

(ekskl. moms)

Kr. 61,925

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 2.175 enhed(er) afsendes fra 05. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
5 +Kr. 9,908Kr. 49,54

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
188-8550
Producentens varenummer:
STD11N60DM2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

420mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.6V

Portkildespænding maks.

25 V

Effektafsættelse maks. Pd

110W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.6mm

Bredde

6.2 mm

Højde

2.17mm

Bilindustristandarder

Nej

Denne højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM2 serien af hurtige gendannelsesdioder. Den giver meget lav genindvindingsladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende højeffektive konvertere og ideel til bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.

Diode til hurtigt genvindingshus

Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet

Lav modstand ved tændt

Ekstremt høj dv/dt robusthed

Zener-beskyttet

Anvendelsesområder

Skift af programmer

Relaterede links