STMicroelectronics N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 188-8550
- Producentens varenummer:
- STD11N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 49,54
(ekskl. moms)
Kr. 61,93
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Restlager hos RS
- Sidste 2.105 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 9,908 | Kr. 49,54 |
| 50 - 245 | Kr. 8,72 | Kr. 43,60 |
| 250 - 495 | Kr. 7,788 | Kr. 38,94 |
| 500 + | Kr. 6,688 | Kr. 33,44 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8550
- Producentens varenummer:
- STD11N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 420mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Portkildespænding maks. | 25V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.5nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.6mm | |
| Højde | 2.17mm | |
| Bredde | 6.2mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 420mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Portkildespænding maks. 25V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.5nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.6mm | ||
Højde 2.17mm | ||
Bredde 6.2mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM2 serien af hurtige gendannelsesdioder. Den giver meget lav genindvindingsladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende højeffektive konvertere og ideel til bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.
Diode til hurtigt genvindingshus
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Lav modstand ved tændt
Ekstremt høj dv/dt robusthed
Zener-beskyttet
Anvendelsesområder
Skift af programmer
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 650 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 650 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics N-Kanal 5.5 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics N-Kanal 4.5 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M5
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-252, STD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 31 A 650 V Forbedring IPD