STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 10 A 650 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 188-8550
- Producentens varenummer:
- STD11N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 49,54
(ekskl. moms)
Kr. 61,925
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.175 enhed(er) afsendes fra 21. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 + | Kr. 9,908 | Kr. 49,54 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 188-8550
- Producentens varenummer:
- STD11N60DM2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 10A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 420mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 25 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.5nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 110W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 2.17mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.2 mm | |
| Længde | 6.6mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 10A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 420mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 25 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.5nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 110W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 2.17mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.2 mm | ||
Længde 6.6mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Denne højspændings N-kanal Power MOSFET er en del af MDmesh™ DM2 serien af hurtige gendannelsesdioder. Den giver meget lav genindvindingsladning (Qrr) og tid (trr) kombineret med lav RDS(on), hvilket gør den velegnet til de mest krævende højeffektive konvertere og ideel til bridge-topologier og ZVS-faseskift-konvertere.
Diode til hurtigt genvindingshus
Ekstremt lav gate-opladning og indgangskapacitet
Lav modstand ved tændt
Ekstremt høj dv/dt robusthed
Zener-beskyttet
Anvendelsesområder
Skift af programmer
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 650 V Forbedring TO-252 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 650 V Forbedring TO-252 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 650 V Forbedring TO-252 Nej STD11N65M2
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-252, STD AEC-Q101
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.5 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4.5 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M2 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 650 V Forbedring TO-252, MDmesh M5 Nej