Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Forbedring, TO-252, IPD Nej IPD60R280PFD7SAUMA1
- RS-varenummer:
- 258-3854
- Producentens varenummer:
- IPD60R280PFD7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 24,61
(ekskl. moms)
Kr. 30,762
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 2.430 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 12,305 | Kr. 24,61 |
| 20 - 48 | Kr. 10,96 | Kr. 21,92 |
| 50 - 98 | Kr. 10,175 | Kr. 20,35 |
| 100 - 198 | Kr. 9,46 | Kr. 18,92 |
| 200 + | Kr. 6,135 | Kr. 12,27 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3854
- Producentens varenummer:
- IPD60R280PFD7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 210mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 210mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET supplerer CoolMOS 7 til forbrugeranvendelser. CoolMOS PFD7 super junction MOSFET i et TO 252 DPAK hus har RDS(on) på 280 mOhm, hvilket fører til lave skiftetab. Produkterne leveres med en integreret hurtig husdiode, der sikrer en robust enhed. Den hurtige husdiode og branchens førende SMD-hus reducerer pladsen på printkortet og dermed kundens materialeregnskab. Denne produktserie er skræddersyet til ultrahøj effekttæthed samt design med højeste effektivitet. Produkterne er primært rettet mod ladere med meget høj tæthed, adaptere og motordrev med lavt strømforbrug. 600 V CoolMOS PFD7 giver forbedret effektivitet ved let og fuld belastning over CoolMOS P7 og CE MOSFET-teknologier, hvilket resulterer i en forøgelse af effekttætheden med 1,8 W/tommer3.
Fremragende robusthed ved omskiftning
Lav EMI
Bred pakkeportefølje
BOM-omkostningsreduktion og nem fremstilling
Robusthed og pålidelighed
Let at vælge de rigtige dele til finjustering af design
Relaterede links
- Infineon 31 A 650 V, PG-TO 252-3 IPD60R280PFD7SAUMA1
- Infineon 4 PG-TO 252-3 IPD60R2K0PFD7SAUMA1
- Infineon 14 A 650 V, PG-TO 252-3 IPD60R600PFD7SAUMA1
- Infineon 1 PG-TO 252 IPD60R3K3C6ATMA1
- Infineon 18 PG-TO 252 IPD50R280CEAUMA1
- Infineon 9 PG-TO 252 IPD60R650CEAUMA1
- Infineon 15 PG-TO 252 IPD65R400CEAUMA1
- Infineon 2 PG-TO 252 IPD50R3K0CEAUMA1
