Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Forbedring, TO-252, IPD
- RS-varenummer:
- 258-3854
- Producentens varenummer:
- IPD60R280PFD7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 23,86
(ekskl. moms)
Kr. 29,82
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.416 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 11,93 | Kr. 23,86 |
| 20 - 48 | Kr. 10,62 | Kr. 21,24 |
| 50 - 98 | Kr. 9,91 | Kr. 19,82 |
| 100 - 198 | Kr. 9,20 | Kr. 18,40 |
| 200 + | Kr. 5,985 | Kr. 11,97 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3854
- Producentens varenummer:
- IPD60R280PFD7SAUMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 31A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 650V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 210mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 31A | ||
Drain source spænding maks. Vds 650V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 210mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS PFD7 super junction MOSFET supplerer CoolMOS 7 til forbrugeranvendelser. CoolMOS PFD7 super junction MOSFET i et TO 252 DPAK hus har RDS(on) på 280 mOhm, hvilket fører til lave skiftetab. Produkterne leveres med en integreret hurtig husdiode, der sikrer en robust enhed. Den hurtige husdiode og branchens førende SMD-hus reducerer pladsen på printkortet og dermed kundens materialeregnskab. Denne produktserie er skræddersyet til ultrahøj effekttæthed samt design med højeste effektivitet. Produkterne er primært rettet mod ladere med meget høj tæthed, adaptere og motordrev med lavt strømforbrug. 600 V CoolMOS PFD7 giver forbedret effektivitet ved let og fuld belastning over CoolMOS P7 og CE MOSFET-teknologier, hvilket resulterer i en forøgelse af effekttætheden med 1,8 W/tommer3.
Fremragende robusthed ved omskiftning
Lav EMI
Bred pakkeportefølje
BOM-omkostningsreduktion og nem fremstilling
Robusthed og pålidelighed
Let at vælge de rigtige dele til finjustering af design
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 31 A 650 V Forbedring IPD
- Infineon Type N-Kanal 24 A 650 V N IPD
- Infineon Type N-Kanal 14 A 650 V N IPD
- Infineon Type P-Kanal 42 A 650 V N IPD
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 143 A 40 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 139 A 60 V Forbedring TO-252, IPD