Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD Nej IPD048N06L3GATMA1

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 8.460,00

(ekskl. moms)

Kr. 10.575,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 03. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,384Kr. 8.460,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
273-3001
Producentens varenummer:
IPD048N06L3GATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4.8mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

50nC

Portkildespænding maks.

±20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

10.48mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

6.223mm

Bredde

6.731 mm

Bilindustristandarder

Nej

Infineon power MOSFET er et perfekt valg til synkron ensretning i switched-mode strømforsyninger som f.eks. dem, der findes i servere og stationære computere og tablet-oplader. Desuden kan disse enheder bruges til en bred vifte af industrielle anvendelser

Højeste systemeffektivitet

Færre paralleller er påkrævet

Øget effekttæthed

Relaterede links