Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 14.562,50

(ekskl. moms)

Kr. 18.202,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 2.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 5,825Kr. 14.562,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
249-6915
Producentens varenummer:
IPD90N10S406ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.

175 °C driftstemperatur

Relaterede links