Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 249-6916
- Producentens varenummer:
- IPD90N10S406ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 32,16
(ekskl. moms)
Kr. 40,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 3.186 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 16,08 | Kr. 32,16 |
| 20 - 48 | Kr. 14,325 | Kr. 28,65 |
| 50 - 98 | Kr. 13,315 | Kr. 26,63 |
| 100 - 198 | Kr. 12,38 | Kr. 24,76 |
| 200 + | Kr. 11,595 | Kr. 23,19 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 249-6916
- Producentens varenummer:
- IPD90N10S406ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 81W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 80nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 81W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 80nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.
175 °C driftstemperatur
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 90 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 90 A N IPD
- Infineon Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101