Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 6.265,00

(ekskl. moms)

Kr. 7.830,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 7.500 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 2,506Kr. 6.265,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
229-1831
Producentens varenummer:
IPD50N08S413ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

13.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Effektafsættelse maks. Pd

72W

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.5mm

Bredde

6.22 mm

Højde

2.3mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon n-kanal MOSFET har 175 oC driftstemperatur og 100 procent lavine testet.

Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret

Relaterede links