Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 88,86

(ekskl. moms)

Kr. 111,075

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 9.885 enhed(er) afsendes fra 18. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 5,924Kr. 88,86
75 - 135Kr. 5,63Kr. 84,45
150 - 360Kr. 5,395Kr. 80,93
375 - 735Kr. 5,151Kr. 77,27
750 +Kr. 4,797Kr. 71,96

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
229-1833
Producentens varenummer:
IPD50N08S413ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

13.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

72W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.3mm

Bredde

6.22 mm

Længde

6.5mm

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon n-kanal MOSFET har 175 oC driftstemperatur og 100 procent lavine testet.

Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret

Relaterede links