Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 229-1833
- Producentens varenummer:
- IPD50N08S413ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 15 enheder)*
Kr. 88,86
(ekskl. moms)
Kr. 111,075
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 9.855 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | Kr. 5,924 | Kr. 88,86 |
| 75 - 135 | Kr. 5,63 | Kr. 84,45 |
| 150 - 360 | Kr. 5,395 | Kr. 80,93 |
| 375 - 735 | Kr. 5,151 | Kr. 77,27 |
| 750 + | Kr. 4,797 | Kr. 71,96 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 229-1833
- Producentens varenummer:
- IPD50N08S413ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 13.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 72W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 19nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 2.3mm | |
| Længde | 6.5mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 13.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 72W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 19nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 2.3mm | ||
Længde 6.5mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon n-kanal MOSFET har 175 oC driftstemperatur og 100 procent lavine testet.
Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 50 A 80 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 80 A 75 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -80 A -30 V Forbedring PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 2 A 800 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 14 A 950 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101