Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 50 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101 IPD50N08S413ATMA1

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 15 enheder)*

Kr. 116,175

(ekskl. moms)

Kr. 145,215

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 9.900 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
15 - 60Kr. 7,745Kr. 116,18
75 - 135Kr. 7,36Kr. 110,40
150 - 360Kr. 7,056Kr. 105,84
375 - 735Kr. 6,742Kr. 101,13
750 +Kr. 6,278Kr. 94,17

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
229-1833
Producentens varenummer:
IPD50N08S413ATMA1
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

50A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

TO-252

Serie

IPD

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

13.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

19nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Effektafsættelse maks. Pd

72W

Portkildespænding maks.

20 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

6.22 mm

Standarder/godkendelser

No

Højde

2.3mm

Længde

6.5mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon n-kanal MOSFET har 175 oC driftstemperatur og 100 procent lavine testet.

Den er RoHS-kompatibel og AEC Q101-kvalificeret

Relaterede links