Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 14 A 950 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 217-2536
- Producentens varenummer:
- IPD95R450P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 10 enheder)*
Kr. 136,83
(ekskl. moms)
Kr. 171,04
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 1.620 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | Kr. 13,683 | Kr. 136,83 |
| 20 - 40 | Kr. 13,00 | Kr. 130,00 |
| 50 - 90 | Kr. 12,723 | Kr. 127,23 |
| 100 - 240 | Kr. 11,908 | Kr. 119,08 |
| 250 + | Kr. 11,085 | Kr. 110,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2536
- Producentens varenummer:
- IPD95R450P7ATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 14A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 950V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 450mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 104W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 0.9V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Højde | 2.41mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bredde | 6.22 mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 14A | ||
Drain source spænding maks. Vds 950V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 450mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 104W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Gennemgangsspænding Vf 0.9V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Højde 2.41mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bredde 6.22 mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon seneste 950V CoolMOS™ P7-serien sætter et nyt bordmærke i 950V super junction-teknologier og kombinerer klassens bedste ydeevne med den art, der er mest brugervenlig, hvilket er resultatet af Infineons over 18 års banebrydende innovation inden for superjunction-teknologi.
Klassens bedste FOM RDS(on) Eoss; Reduceret QG, CISS og CossBest-in-class DPAK RDS(on) på 450 mΩ
Klassens bedste VGS(TH) på 3 V og mindste VGS(TH) variation på ±0,5 V.
Integreret Zener-diode ESD-beskyttelse op til klasse 2 (HBM)
Klassens bedste kvalitet og pålidelighed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 14 A 950 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -30 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 2 A 800 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 13 A 800 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 50 A 80 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
