Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Forbedring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101 IPD50P03P4L11ATMA2
- RS-varenummer:
- 258-3842
- Producentens varenummer:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 18,88
(ekskl. moms)
Kr. 23,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 2.428 enhed(er) afsendes fra 02. januar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 9,44 | Kr. 18,88 |
| 20 - 48 | Kr. 8,415 | Kr. 16,83 |
| 50 - 98 | Kr. 7,815 | Kr. 15,63 |
| 100 - 198 | Kr. 7,37 | Kr. 14,74 |
| 200 + | Kr. 4,71 | Kr. 9,42 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3842
- Producentens varenummer:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | PG-TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Portkildespænding maks. | -0.31 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 58W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -50A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype PG-TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Portkildespænding maks. -0.31 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 58W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-2 effekttransistor har det laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet. Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.
Enkelt interface-drevkredsløb
Verdens laveste RDSon ved 40 V
Højeste strømkapacitet
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 50 A 30 V, PG-TO252-3-11 IPD50P03P4L11ATMA2
- Infineon P-Kanal 80 A 30 V, PG-TO252-3-11 IPD80P03P4L07ATMA2
- Infineon P-Kanal 50 A 40 V, PG-TO252-3-313 IPD50P04P4L11ATMA2
- Infineon P-Kanal 70 A 30 V, PG-TO252 IPD068P03L3GATMA1
- Infineon N-Kanal 30 A, PG-TO252-3-11 IPD30N06S2L23ATMA3
- Infineon P-Kanal 4 A 100 V, PG-TO252-3 SPD04P10PGBTMA1
- Infineon P-Kanal 15 A 100 V, PG-TO252-3 SPD15P10PLGBTMA1
- Infineon N-Kanal 35 A 120 V, PG-TO252-3-11 IPD35N12S3L24ATMA1
