Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Forbedring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 258-3842
- Producentens varenummer:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (2 enheder, i en pakke med 2)*
Kr. 22,81
(ekskl. moms)
Kr. 28,51
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.402 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 11,405 | Kr. 22,81 |
| 20 - 48 | Kr. 10,175 | Kr. 20,35 |
| 50 - 98 | Kr. 9,46 | Kr. 18,92 |
| 100 - 198 | Kr. 8,90 | Kr. 17,80 |
| 200 + | Kr. 5,685 | Kr. 11,37 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3842
- Producentens varenummer:
- IPD50P03P4L11ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type P | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -30V | |
| Emballagetype | PG-TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.5mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | -0.31V | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 58W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 42nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type P | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -50A | ||
Drain source spænding maks. Vds -30V | ||
Emballagetype PG-TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Overflade | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.5mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. -0.31V | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 58W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 42nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-2 effekttransistor har det laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet. Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.
Enkelt interface-drevkredsløb
Verdens laveste RDSon ved 40 V
Højeste strømkapacitet
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -50 A -30 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -80 A -30 V Forbedring PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N-Kanal 35 A 120 V Forbedring PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 85 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101