Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101 IPD50P04P413ATMA2
- RS-varenummer:
- 217-2519
- Producentens varenummer:
- IPD50P04P413ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 20 enheder)*
Kr. 144,08
(ekskl. moms)
Kr. 180,10
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- 6.880 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 7,204 | Kr. 144,08 |
| 40 - 80 | Kr. 6,841 | Kr. 136,82 |
| 100 - 180 | Kr. 6,556 | Kr. 131,12 |
| 200 - 480 | Kr. 6,265 | Kr. 125,30 |
| 500 + | Kr. 5,831 | Kr. 116,62 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2519
- Producentens varenummer:
- IPD50P04P413ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 58W | |
| Portkildespænding maks. | 20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 58W | ||
Portkildespænding maks. 20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon - 40 V, P-CH, 12,6 MΩ maks., Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-P2.
P-kanal - normal tilstand for forbedring
AEC-kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grøn pakke (overholder RoHS)
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon P-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252) IPD50P04P413ATMA2
- Infineon P-Kanal 50 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD50P04P413ATMA1
- Infineon P-Kanal 90 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD90P04P4L04ATMA1
- Infineon P-Kanal 85 A 40 V DPAK (TO-252), OptiMOS™ -T2 IPD85P04P4L06ATMA2
- Infineon P-Kanal 90 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD90P03P4L04ATMA1
- Infineon P-Kanal 70 A 30 V DPAK (TO-252), OptiMOS P IPD042P03L3GATMA1
- Infineon P-Kanal 22 A 60 V DPAK (TO-252) IPD650P06NMATMA1
- Infineon P-Kanal 31 A 55 V DPAK (TO-252), HEXFET AUIRFR5305TRL
