Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 217-2519
- Producentens varenummer:
- IPD50P04P413ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (20 enheder, i en pakke med 20)*
Kr. 149,76
(ekskl. moms)
Kr. 187,20
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 6.820 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | Kr. 7,488 | Kr. 149,76 |
| 40 - 80 | Kr. 7,114 | Kr. 142,28 |
| 100 - 180 | Kr. 6,807 | Kr. 136,14 |
| 200 - 480 | Kr. 6,512 | Kr. 130,24 |
| 500 + | Kr. 6,063 | Kr. 121,26 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2519
- Producentens varenummer:
- IPD50P04P413ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 58W | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 58W | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon IPD seriens MOSFET, 40 V maksimal drain source-spænding, 50 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - IPD50P04P413ATMA2
Denne MOSFET er en P-kanal-forbedringsenhed, der er designet til at styre høje strømme i krævende miljøer og giver en halvlederomskifter, der er i stand til at håndtere betydelige drain-source-belastninger, samtidig med at den tåler brede temperaturområder.
Egenskaber og fordele:
• 40 V drain-source-klassificering muliggør mellemspændingsswitching-anvendelser
• 50 A kontinuerlig afløbskapacitet understøtter høje strømbelastninger
• 12,6 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab for effektiv drift
• 58 W maksimal effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• 39 nC typisk gate-ladning giver forudsigelige krav til koblingsenergi
• 20 V mærkespænding for gate giver mulighed for robuste gate-drevmargener
• 50 A kontinuerlig afløbskapacitet understøtter høje strømbelastninger
• 12,6 mΩ Rds(on) minimerer ledningstab for effektiv drift
• 58 W maksimal effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• 39 nC typisk gate-ladning giver forudsigelige krav til koblingsenergi
• 20 V mærkespænding for gate giver mulighed for robuste gate-drevmargener
Anvendelser
• Velegnet til strømfordelingsmoduler til biler
• Ideel til omskiftning af højstrømsbelastninger i styreenheder
• Anvendes sammen med varmestyringssystemer til drift ved høje temperaturer
• Kan bruges til batteribeskyttelse og strømvejskontrol
• Kompatibel med hulmontering på strømforsyningsenheder
• Ideel til omskiftning af højstrømsbelastninger i styreenheder
• Anvendes sammen med varmestyringssystemer til drift ved høje temperaturer
• Kan bruges til batteribeskyttelse og strømvejskontrol
• Kompatibel med hulmontering på strømforsyningsenheder
Hvilket temperaturområde kan den fungere pålideligt inden for?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C.
Hvilken hustype og monteringsmetode anvendes der?
Den leveres i en TO-252-pakke, der er beregnet til montering gennem hul.
Hvordan påvirker gate-ladestillingen koblingsdesign?
En 39 nC gate-ladning angiver gate-driverenergien og påvirker driverstørrelsen og koblingstab.
Er den velegnet til brug i elektroniske systemer i biler?
Den er i overensstemmelse med AEC-Q101-standarden for biludstyr for egnethed i køretøjsmiljøer.
Hvad er den maksimalt tilladte gate-til-kilde-spænding?
Den maksimale VGS-klassificering er 20 V.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -30 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 85 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -73 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101