Infineon Type P-Kanal, MOSFET, 50 A 40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 217-2518
- Producentens varenummer:
- IPD50P04P413ATMA2
- Brand:
- Infineon
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 8.275,00
(ekskl. moms)
Kr. 10.350,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 5.000 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | Kr. 3,31 | Kr. 8.275,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 217-2518
- Producentens varenummer:
- IPD50P04P413ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 12.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1.3V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 39nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 58W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 50A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 12.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1.3V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 39nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 58W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon - 40 V, P-CH, 12,6 MΩ maks., Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-P2.
P-kanal - normal tilstand for forbedring
AEC-kvalificeret
MSL1 op til 260 °C topreflow
175 °C driftstemperatur
Grøn pakke (overholder RoHS)
100 % lavine-testet
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -30 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -73 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 85 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101