Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -73 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 258-3862
- Producentens varenummer:
- IPD70P04P409ATMA2
- Brand:
- Infineon
Få rabat ved storkøb
Tilføj 20 flere for at gemme Kr. 27,70
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 27,45
(ekskl. moms)
Kr. 34,31
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 2.222 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* | Besparelse |
|---|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 13,725 | Kr. 27,45 | - |
| 20 - 48 | Kr. 12,34 | Kr. 24,68 | Kr. 27,70 |
| 50 - 98 | Kr. 11,595 | Kr. 23,19 | Kr. 106,50 |
| 100 - 198 | Kr. 10,735 | Kr. 21,47 | Kr. 299,00 |
| 200 + | Kr. 9,875 | Kr. 19,75 | Kr. 770,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3862
- Producentens varenummer:
- IPD70P04P409ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -73A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 8.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 75W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 54nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -73A | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 8.9mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 75W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon IPD seriens MOSFET, 75 W effekttab -40 V drain-source spænding - IPD70P04P409ATMA2
Denne MOSFET er en P-kanal-forstærket effekttransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser i krævende elektriske miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde fra -55 °C til 175 °C og er velegnet, hvor der kræves høj strømstyrke og kompakt montering. Enheden er i overensstemmelse med RoHS og opfylder teststandarden AEC-Q101 til brug i elektronik i bilkvalitet.
Egenskaber og fordele:
• 8.9 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab og forbedrer effektiviteten
• -73 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbehov
• 75 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• 54 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig koblingsadfærd
• TO-252-pakke letter kompakt overflademontering
• -73 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbehov
• 75 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• 54 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig koblingsadfærd
• TO-252-pakke letter kompakt overflademontering
Anvendelser
• Velegnet til omskiftning af højstrømsbelastninger i automotive systemer
• Ideel til beskyttelse mod omvendt polaritet i strømskinner
• Anvendes sammen med strømstyringskredsløb i køretøjselektronik
• Kan bruges til synkronstyring i DC-strømtrin
• Velegnet til termisk stabile konstruktioner over brede temperaturområder
• Ideel til beskyttelse mod omvendt polaritet i strømskinner
• Anvendes sammen med strømstyringskredsløb i køretøjselektronik
• Kan bruges til synkronstyring i DC-strømtrin
• Velegnet til termisk stabile konstruktioner over brede temperaturområder
Hvilken mærkespænding gælder mellem drain og source?
Enheden er mærket til -40 V maksimal dræn-til-kilde-spænding.
Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes for at undgå skader?
Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå portbelastning.
Hvordan påvirker pakken printkortmontering?
Formfaktoren TO-252 til overflademontering understøtter standardlodde-reflow-processer og kompakte kortlayouts.
Hvilke termiske ekstremer kan enheden tolerere under drift?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C for en bredt termisk modstandsdygtighed.
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -73 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -30 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 85 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101