Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 7.922,50

(ekskl. moms)

Kr. 9.902,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 02. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 3,169Kr. 7.922,50

*Vejledende pris

RS-varenummer:
258-3843
Producentens varenummer:
IPD50P04P4L11ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-50A

Drain source spænding maks. Vds

-40V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

5 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

45nC

Gennemgangsspænding Vf

-1V

Effektafsættelse maks. Pd

58W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

DIN IEC 68-1, RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2 effekttransistor har det laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet. Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.

Ingen ladepumpe er nødvendig for høj-side-drev

Enkelt interface-drevkredsløb

Højeste strømkapacitet

Relaterede links