Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101 IPD50P04P4L11ATMA2

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 23,49

(ekskl. moms)

Kr. 29,362

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 1.856 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 11,745Kr. 23,49
20 - 48Kr. 10,585Kr. 21,17
50 - 98Kr. 9,95Kr. 19,90
100 - 198Kr. 9,275Kr. 18,55
200 +Kr. 8,565Kr. 17,13

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
258-3845
Producentens varenummer:
IPD50P04P4L11ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type P

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

-50A

Drain source spænding maks. Vds

-40V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10.6mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

-1V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

45nC

Effektafsættelse maks. Pd

58W

Portkildespænding maks.

5 V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

DIN IEC 68-1, RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-P2 effekttransistor har det laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet. Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.

Ingen ladepumpe er nødvendig for høj-side-drev

Enkelt interface-drevkredsløb

Højeste strømkapacitet

Relaterede links