Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -50 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 258-3845
- Producentens varenummer:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 22,96
(ekskl. moms)
Kr. 28,70
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 1.846 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | Kr. 11,48 | Kr. 22,96 |
| 20 - 48 | Kr. 10,32 | Kr. 20,64 |
| 50 - 98 | Kr. 9,725 | Kr. 19,45 |
| 100 - 198 | Kr. 9,05 | Kr. 18,10 |
| 200 + | Kr. 8,38 | Kr. 16,76 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 258-3845
- Producentens varenummer:
- IPD50P04P4L11ATMA2
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type P | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | -50A | |
| Drain source spænding maks. Vds | -40V | |
| Serie | IPD | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10.6mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | -1V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 45nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 58W | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Standarder/godkendelser | DIN IEC 68-1, RoHS | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type P | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -50A | ||
Drain source spænding maks. Vds -40V | ||
Serie IPD | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10.6mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf -1V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 45nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 58W | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1, RoHS | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-P2 effekttransistor har det laveste skifte- og ledningseffekttab for højeste termiske effektivitet. Robuste huse med fremragende kvalitet og pålidelighed.
Ingen ladepumpe er nødvendig for høj-side-drev
Enkelt interface-drevkredsløb
Højeste strømkapacitet
Relaterede links
- Infineon Type P-Kanal -50 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -85 A -40 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -50 A -30 V Forbedring IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -90 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal -73 A -40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 50 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 85 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type P-Kanal 90 A 30 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101