Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -73 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

RS-varenummer:: 258-3861
Producentens varenummer:: IPD70P04P409ATMA2
Brand:: Infineon

Infineon Type P-Kanal, MOSFET, -73 A -40 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 7.575,00

(ekskl. moms)

Kr. 9.475,00

(inkl. moms)

GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.

Midlertidigt ikke på lager

Afsendelse fra 20. januar 2027

Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder	Per stk.	Pr rulle*
2500 +	Kr. 3,03	Kr. 7.575,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:: 258-3861
Producentens varenummer:: IPD70P04P409ATMA2
Brand:: Infineon

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Infineon
	Produkttype	MOSFET
	Kanaltype	Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	-73A
	Drain source spænding maks. Vds	-40V
	Serie	IPD
	Emballagetype	TO-252
	Monteringstype	Overflade
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	8.9mΩ
	Kanalform	Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf	-1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	54nC
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	75W
	Portkildespænding maks.	20V
	Driftstemperatur maks.	175°C
	Standarder/godkendelser	DIN IEC 68-1, RoHS
	Bilindustristandarder	AEC-Q101

	Vælg alle
	Brand Infineon
	Produkttype MOSFET
	Kanaltype Type P
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id -73A
	Drain source spænding maks. Vds -40V
	Serie IPD
	Emballagetype TO-252
	Monteringstype Overflade
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 8.9mΩ
	Kanalform Forbedring
	Gennemgangsspænding Vf -1V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 54nC
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 75W
	Portkildespænding maks. 20V
	Driftstemperatur maks. 175°C
	Standarder/godkendelser DIN IEC 68-1, RoHS
	Bilindustristandarder AEC-Q101

Datasheet - IPD70P04P409ATMA2

Infineon IPD seriens MOSFET, 75 W effekttab -40 V drain-source spænding - IPD70P04P409ATMA2

Denne MOSFET er en P-kanal-forstærket effekttransistor, der er designet til overflademonterede anvendelser i krævende elektriske miljøer. Den fungerer over et bredt temperaturområde fra -55 °C til 175 °C og er velegnet, hvor der kræves høj strømstyrke og kompakt montering. Enheden er i overensstemmelse med RoHS og opfylder teststandarden AEC-Q101 til brug i elektronik i bilkvalitet.

Egenskaber og fordele:

• 8.9 mΩ Rds(on) reducerer ledningstab og forbedrer effektiviteten
• -73 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter kraftige strømbehov
• 75 W effekttab muliggør vedvarende strømhåndtering
• 54 nC typisk gate-ladning muliggør forudsigelig koblingsadfærd
• TO-252-pakke letter kompakt overflademontering

Anvendelser

• Velegnet til omskiftning af højstrømsbelastninger i automotive systemer
• Ideel til beskyttelse mod omvendt polaritet i strømskinner
• Anvendes sammen med strømstyringskredsløb i køretøjselektronik
• Kan bruges til synkronstyring i DC-strømtrin
• Velegnet til termisk stabile konstruktioner over brede temperaturområder

Hvilken mærkespænding gælder mellem drain og source?

Enheden er mærket til -40 V maksimal dræn-til-kilde-spænding.

Hvilke gate-spændingsgrænser skal overholdes for at undgå skader?

Gate-til-kilde-spændingen må ikke overstige 20 V for at undgå portbelastning.

Hvordan påvirker pakken printkortmontering?

Formfaktoren TO-252 til overflademontering understøtter standardlodde-reflow-processer og kompakte kortlayouts.

Hvilke termiske ekstremer kan enheden tolerere under drift?

Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 175 °C for en bredt termisk modstandsdygtighed.