Infineon N-Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 pakke af 2 enheder)*

Kr. 34,11

(ekskl. moms)

Kr. 42,64

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 17,055Kr. 34,11
20 - 48Kr. 13,99Kr. 27,98
50 - 98Kr. 13,165Kr. 26,33
100 - 198Kr. 12,305Kr. 24,61
200 +Kr. 11,255Kr. 22,51

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
249-6913
Producentens varenummer:
IPD90N06S405ATMA2
Brand:
Infineon
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Infineon

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

90A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

IPD

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.7mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

81W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

80nC

Gennemgangsspænding Vf

1.3V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

AEC-Q101

Infineon OptiMOS er power MOSFET til brug i biler. Driftskanalen er N. Det er AEC Q101-kvalificeret. MSL1 op til 260 oC Peak reflow. Grønt produkt (i overensstemmelse med RoHS), og det er 100 % Avalanche-testet.

175 °C driftstemperatur

Relaterede links