Infineon Type N-Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Forbedring, 3 Ben, TO-252, IPD
- RS-varenummer:
- 273-3002
- Producentens varenummer:
- IPD048N06L3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 5 enheder)*
Kr. 59,69
(ekskl. moms)
Kr. 74,61
(inkl. moms)
Tilføj 45 enheder for at opnå gratis levering
På lager
- Plus 2.045 enhed(er) afsendes fra 23. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | Kr. 11,938 | Kr. 59,69 |
| 50 - 95 | Kr. 9,156 | Kr. 45,78 |
| 100 - 245 | Kr. 8,528 | Kr. 42,64 |
| 250 - 995 | Kr. 8,348 | Kr. 41,74 |
| 1000 + | Kr. 8,198 | Kr. 40,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 273-3002
- Producentens varenummer:
- IPD048N06L3GATMA1
- Brand:
- Infineon
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Infineon | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 90A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.8mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 50nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 6.223mm | |
| Længde | 10.48mm | |
| Bredde | 6.731 mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Infineon | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 90A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.8mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 50nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 6.223mm | ||
Længde 10.48mm | ||
Bredde 6.731 mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Infineon power MOSFET er et perfekt valg til synkron ensretning i switched-mode strømforsyninger som f.eks. dem, der findes i servere og stationære computere og tablet-oplader. Desuden kan disse enheder bruges til en bred vifte af industrielle anvendelser
Højeste systemeffektivitet
Færre paralleller er påkrævet
Øget effekttæthed
Relaterede links
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 90 A 60 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A N IPD
- Infineon Type N-Kanal 139 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 120 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 50 A 60 V Forbedring TO-252, IPD
- Infineon Type N-Kanal 90 A 40 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Type N-Kanal 90 A 100 V Forbedring TO-252, IPD AEC-Q101