STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252
- RS-varenummer:
- 261-5527
- Producentens varenummer:
- STD80N340K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 58,19
(ekskl. moms)
Kr. 72,738
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 292 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 + | Kr. 29,095 | Kr. 58,19 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-5527
- Producentens varenummer:
- STD80N340K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 340mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 340mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET på super junction-teknologi. Har bedste i klassen modstand ved tænding pr. område og gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
Meget lav gate-opladning
100 % lavine-testet
Zenerbeskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 800 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 800 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, STP
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 650 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 600 V Forbedring TO-252
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 650 V Forbedring TO-252