STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 12 A 800 V Forbedring, 3 Ben, TO-252 Nej
- RS-varenummer:
- 261-5526
- Producentens varenummer:
- STD80N340K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 39.132,50
(ekskl. moms)
Kr. 48.915,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | Kr. 15,653 | Kr. 39.132,50 |
| 5000 - 5000 | Kr. 15,251 | Kr. 38.127,50 |
| 7500 + | Kr. 14,87 | Kr. 37.175,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 261-5526
- Producentens varenummer:
- STD80N340K6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 12A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 340mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30 V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 17.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 12A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 340mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30 V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 17.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics Power MOSFET på super junction-teknologi. Har bedste i klassen modstand ved tænding pr. område og gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
Meget lav gate-opladning
100 % lavine-testet
Zenerbeskyttet
Relaterede links
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 800 V Forbedring TO-252 Nej STD80N340K6
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-252 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4 A 800 V Forbedring TO-252 Nej STD5N80K5
- STMicroelectronics Type N-Kanal 3 A 800 V Forbedring TO-252, SuperMESH Nej STD4NK80ZT4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 1 A 800 V Forbedring TO-252, SuperMESH Nej STD1NK80ZT4
- STMicroelectronics Type N-Kanal 10 A 650 V Forbedring TO-252 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5.4 A 400 V Forbedring TO-252 Nej
- STMicroelectronics Type N-Kanal 6 A 600 V Forbedring TO-252 Nej
