STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 2 Ben, TO-252, STP

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 18,77

(ekskl. moms)

Kr. 23,46

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Restlager hos RS
  • Sidste 227 enhed(er), klar til afsendelse fra et alternativt lager

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 18,77
10 - 99Kr. 11,29
100 - 499Kr. 8,68
500 - 999Kr. 7,48
1000 +Kr. 6,58

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-650
Producentens varenummer:
STD70N10F4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Emballagetype

TO-252

Serie

STP

Monteringstype

Overflade

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

0.0195Ω

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

20V

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

85nC

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

6.2mm

Bredde

6.6mm

Højde

2.4mm

STMicroelectronics STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET-teknologi er blandt de nyeste forbedringer, der er specielt skræddersyet til at minimere modstanden i tændt tilstand, med en ny gate-struktur, der giver fremragende switching-ydeevne.

Fremragende dv/dt-kapacitet

Ekstremt lav modstand ved tænding RDS(on)

100% lavine testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.