STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 60 A 100 V Forbedring, 2 Ben, TO-252, STP

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 6,36

(ekskl. moms)

Kr. 7,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 6,36

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-650
Producentens varenummer:
STD70N10F4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

60A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

STP

Emballagetype

TO-252

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

0.0195Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

85nC

Effektafsættelse maks. Pd

125W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

2.4mm

Længde

6.2mm

STMicroelectronics STripFETTM DeepGATETM Power MOSFET-teknologi er blandt de nyeste forbedringer, der er specielt skræddersyet til at minimere modstanden i tændt tilstand, med en ny gate-struktur, der giver fremragende switching-ydeevne.

Fremragende dv/dt-kapacitet

Ekstremt lav modstand ved tænding RDS(on)

100% lavine testet

Relaterede links