STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 397 A 60 V Forbedring, 6 Ben, H2PAK, STH

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 22,51

(ekskl. moms)

Kr. 28,14

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 22,51

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-655
Producentens varenummer:
STH345N6F7-6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

397A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Serie

STH

Emballagetype

H2PAK

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

6

Drain source modstand maks. Rds

1.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

341W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

230nC

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

9.3mm

Højde

4.7mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET udnytter STripFET F7-teknologi med en forbedret trinch-gate-struktur, der resulterer i en meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-ladning reduceres for hurtigere og mere effektiv omskiftning.

Blandt de laveste RDS(on) på markedet

Fremragende FoM (fortjensttal)

Lavt Crss/Ciss-forhold for EMI-immunitet

Høj lavine-robusthed

Relaterede links