STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STP

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 16,61

(ekskl. moms)

Kr. 20,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 420 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 16,61
10 - 99Kr. 8,23
100 - 499Kr. 7,18
500 - 999Kr. 5,76
1000 +Kr. 5,24

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-658
Producentens varenummer:
STP100N8F6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Emballagetype

TO-220

Serie

STP

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.009Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

176W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

100nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Højde

4.6mm

Længde

15.75mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET er udviklet ved hjælp af STripFETTM F6-teknologien med en ny skotgate-struktur. Den resulterende Power MOSFET har meget lav RDS(on) i alle kabinetter.

Meget lav modstand ved tændt

Meget lav gate-opladning

Høj lavine-robusthed

Lavt strømtab for gate-drev

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.