STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STP

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 5,46

(ekskl. moms)

Kr. 6,82

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 156 enhed(er) afsendes fra 13. april 2026
  • Plus 515 enhed(er) afsendes fra 17. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 5,46

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-658
Producentens varenummer:
STP100N8F6
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

100A

Drain source spænding maks. Vds

80V

Serie

STP

Emballagetype

TO-220

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.009Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

100nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Effektafsættelse maks. Pd

176W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

15.75mm

Højde

4.6mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET er udviklet ved hjælp af STripFETTM F6-teknologien med en ny skotgate-struktur. Den resulterende Power MOSFET har meget lav RDS(on) i alle kabinetter.

Meget lav modstand ved tændt

Meget lav gate-opladning

Høj lavine-robusthed

Lavt strømtab for gate-drev

Relaterede links