STMicroelectronics N-Kanal, Effekt MOSFET, 100 A 80 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STP
- RS-varenummer:
- 719-658
- Producentens varenummer:
- STP100N8F6
- Brand:
- STMicroelectronics
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Få rabat ved storkøb
Tilføj 10 flere for at gemme Kr. 73,30
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 15,11
(ekskl. moms)
Kr. 18,89
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 30. november 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Besparelse |
|---|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 15,11 | - |
| 10 - 99 | Kr. 7,78 | Kr. 73,30 |
| 100 - 499 | Kr. 6,21 | Kr. 890,00 |
| 500 - 999 | Kr. 4,94 | Kr. 5.085,00 |
| 1000 + | Kr. 4,41 | Kr. 10.700,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-658
- Producentens varenummer:
- STP100N8F6
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 100A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 80V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | STP | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.009Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 176W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 100nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.6mm | |
| Længde | 15.75mm | |
| Bredde | 10.4mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 100A | ||
Drain source spænding maks. Vds 80V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie STP | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.009Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 176W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 100nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.6mm | ||
Længde 15.75mm | ||
Bredde 10.4mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET er udviklet ved hjælp af STripFETTM F6-teknologien med en ny skotgate-struktur. Den resulterende Power MOSFET har meget lav RDS(on) i alle kabinetter.
Meget lav modstand ved tændt
Meget lav gate-opladning
Høj lavine-robusthed
Lavt strømtab for gate-drev
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 60 A 100 V Forbedring TO-252, STP
- STMicroelectronics N-Kanal 6 A 800 V Forbedring TO-220, STP
- STMicroelectronics N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220, STP
- STMicroelectronics N-Kanal 12 A 800 V Forbedring TO-220, STP
- STMicroelectronics N-Kanal 55 A 650 V Forbedring TO-220, STP AEC-Q101
- STMicroelectronics N-Kanal 10 A 500 V Forbedring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 10.5 A 800 V Forbedring TO-220, SuperMESH
- STMicroelectronics N-Kanal 56 A 250 V Forbedring TO-220, STP25