STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 56 A 250 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STP25
- RS-varenummer:
- 711-524
- Producentens varenummer:
- STP25N018M9
- Brand:
- STMicroelectronics
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 21,99
(ekskl. moms)
Kr. 27,49
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
På lager
- Plus 233 enhed(er) afsendes fra 30. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 21,99 |
| 10 - 24 | Kr. 19,37 |
| 25 - 99 | Kr. 17,35 |
| 100 - 499 | Kr. 14,29 |
| 500 + | Kr. 13,91 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 711-524
- Producentens varenummer:
- STP25N018M9
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 56A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 250V | |
| Serie | STP25 | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 18mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 320W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.6V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 85nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 15.75mm | |
| Højde | 4.6mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 56A | ||
Drain source spænding maks. Vds 250V | ||
Serie STP25 | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 18mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Effektafsættelse maks. Pd 320W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.6V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 85nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 15.75mm | ||
Højde 4.6mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET er baseret på den mest innovative super-junction MDmesh M9-teknologi, velegnet til mellem-/højspændings MOSFET'er med meget lav RDS(on) pr. område. Den siliciumbaserede M9-teknologi nyder godt af en fremstillingsproces med flere afløb, som muliggør en forbedret enhedsstruktur. Den resulterende produktet har en af de lavere modstand ved tændt og reducerede gate-ladningsværdier, blandt alle silicium-baserede hurtigswitching super-junction Power MOSFET'er, hvilket gør det særligt velegnet til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og fremragende effektivitet.
Meget lav FOM (RDS(on)·Qg)
Højere dv/dt-kapacitet
Fremragende skifteydelse
Let at køre
100% lavine testet