onsemi Type N-Kanal, MOSFET, 76 A 40 V Forbedring, 56 Ben, Effekt 56, NXH
- RS-varenummer:
- 277-063
- Producentens varenummer:
- FDMS8333LN
- Brand:
- onsemi
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 bånd af 10 enheder)*
Kr. 51,39
(ekskl. moms)
Kr. 64,24
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 3.000 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr bånd* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | Kr. 5,139 | Kr. 51,39 |
| 100 - 240 | Kr. 4,884 | Kr. 48,84 |
| 250 - 490 | Kr. 4,525 | Kr. 45,25 |
| 500 - 990 | Kr. 4,166 | Kr. 41,66 |
| 1000 + | Kr. 4,009 | Kr. 40,09 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 277-063
- Producentens varenummer:
- FDMS8333LN
- Brand:
- onsemi
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | onsemi | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 76A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 40V | |
| Emballagetype | Effekt 56 | |
| Serie | NXH | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 56 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 4.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 46nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 69W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.3V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 1.1mm | |
| Længde | 6.15mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand onsemi | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 76A | ||
Drain source spænding maks. Vds 40V | ||
Emballagetype Effekt 56 | ||
Serie NXH | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 56 | ||
Drain source modstand maks. Rds 4.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 46nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 69W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.3V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 1.1mm | ||
Længde 6.15mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
ON Semiconductor N Channel MOSFET er designet specifikt til at forbedre den samlede effektivitet og minimere switch node ringing i DC/DC-omformere, der bruger enten synkrone eller konventionelle switching PWM-controllere. Den er optimeret til lav gate-ladning, lav RDS(ON), hurtig skiftehastighed og body og body diode reverse recovery performance.
100% UIL-testet
MSL 1 robust pakkedesign
RoHS-overensstemmende
Relaterede links
- onsemi Type N-Kanal 38 A 1200 V Forbedring PIM22, NXH
- onsemi Type N-Kanal 129 A 1200 V Forbedring PIM29, NXH
- onsemi Type N-Kanal 42 A 1200 V Forbedring PIM18, NXH
- onsemi Type N-Kanal 149 A 1200 V Forbedring PIM34, NXH
- onsemi Type N-Kanal 105 A 1200 V Forbedring PIM34, NXH
- onsemi Type N-Kanal 191 A 1200 V Forbedring PIM36, NXH
- onsemi Type N-Kanal 145 A 1200 V Forbedring PIM18, NXH
- onsemi Type N-Kanal 77 A 1200 V Forbedring PIM18, NXH