STMicroelectronics Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 3 Ben, TO-220, STripFET H7 Nej STP310N10F7
- RS-varenummer:
- 786-3798
- Producentens varenummer:
- STP310N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 pakke af 2 enheder)*
Kr. 62,68
(ekskl. moms)
Kr. 78,36
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 500,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- 50 enhed(er) afsendes fra 24. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr pakke* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | Kr. 31,34 | Kr. 62,68 |
| 10 - 98 | Kr. 26,74 | Kr. 53,48 |
| 100 - 498 | Kr. 23,56 | Kr. 47,12 |
| 500 + | Kr. 22,925 | Kr. 45,85 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 786-3798
- Producentens varenummer:
- STP310N10F7
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 180A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Emballagetype | TO-220 | |
| Serie | STripFET H7 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 2.7mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 180nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 315W | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bredde | 4.6 mm | |
| Højde | 15.75mm | |
| Standarder/godkendelser | No | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 180A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Emballagetype TO-220 | ||
Serie STripFET H7 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 2.7mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 180nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 315W | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Længde 10.4mm | ||
Bredde 4.6 mm | ||
Højde 15.75mm | ||
Standarder/godkendelser No | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
N-kanal STripFET™ H7 serien, STMicroelectronics
STripFET™ mosfet'er med et bredt område for gennemslagsspænding med ekstremt lav gate-opladning og lav aktiv modstand .
MOSFET-transistorer, STMicroelectronics
Relaterede links
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 100 V TO-220, STripFET H7 STP310N10F7
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V TO-220, STripFET H7 STP110N10F7
- STMicroelectronics N-Kanal 90 A 80 V TO-220, STripFET H7 STP140N8F7
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 80 V H2PAK-2, STripFET H7 STH270N8F7-2
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 100 V H2PAK-6, STripFET H7 STH310N10F7-6
- STMicroelectronics N-Kanal 180 A 100 V H2PAK-2, STripFET H7 STH310N10F7-2
- STMicroelectronics N-Kanal 45 A 100 V TO-220FP, STripFET H7 STF100N10F7
- STMicroelectronics N-Kanal 110 A 100 V TO-220FP, STripFET H7 STF45N10F7
