STMicroelectronics P-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 6 A 700 V Forbedring, 2 Ben, TO-252, G-HEMT
- RS-varenummer:
- 719-637
- Producentens varenummer:
- SGT350R70GTK
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 2500 enheder)*
Kr. 28.500,00
(ekskl. moms)
Kr. 35.625,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 29. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 22500 | Kr. 11,40 | Kr. 28.500,00 |
| 25000 - 247500 | Kr. 7,621 | Kr. 19.052,50 |
| 250000 - 1247500 | Kr. 6,364 | Kr. 15.910,00 |
| 1250000 - 2497500 | Kr. 6,122 | Kr. 15.305,00 |
| 2500000 + | Kr. 5,924 | Kr. 14.810,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-637
- Producentens varenummer:
- SGT350R70GTK
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | TO-252 | |
| Serie | G-HEMT | |
| Monteringstype | Overflade | |
| Benantal | 2 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 350mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 1.5nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 47W | |
| Portkildespænding maks. | -1.4, 7V | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.2mm | |
| Bredde | 6.7mm | |
| Højde | 2.4mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype TO-252 | ||
Serie G-HEMT | ||
Monteringstype Overflade | ||
Benantal 2 | ||
Drain source modstand maks. Rds 350mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 1.5nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 47W | ||
Portkildespænding maks. -1.4, 7V | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.2mm | ||
Bredde 6.7mm | ||
Højde 2.4mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 700 V 6 A e-mode PowerGaN transistor kombineret med en veletableret emballageteknologi. Den resulterende G-HEMT-enhed giver ekstremt lave ledningstab, høj strømkapacitet og ultrahurtig skiftefunktion for at muliggøre høj effekttæthed og uovertruffen effektivitet. Anbefales til forbruger QR-anvendelser med tænding med nulstrøm.
Opgraderingstilstand normalt slukket for transistor
Meget høj skiftehastighed
Høj effektstyringskapacitet
Ekstremt lave kapaciteter
Kelvin kildepude til optimal gate-driving
Nul omvendt genoprettelsesopladning
ESD-beskyttelse
Relaterede links
- STMicroelectronics P-kanal-Kanal 6 A 700 V Forbedring TO-252, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal-Kanal 10 A 700 V Forbedring PowerFLAT, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal-Kanal 11.5 A 700 V Forbedring PowerFLAT, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal-Kanal 17 A 700 V Forbedring PowerFLAT, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal-Kanal 21.7 A 700 V Forbedring PowerFLAT, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal-Kanal 29 A 700 V Forbedring PowerFLAT, G-HEMT
- STMicroelectronics P-kanal-Kanal 26 A 700 V Forbedring TO-LL, G-HEMT
- Vishay Type P-Kanal 5.6 A 100 V Forbedring TO-252, IRFR9120