STMicroelectronics P-kanal-Kanal, Transistor, 26 A 700 V Forbedring, 13 Ben, TO-LL, G-HEMT

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 67,17

(ekskl. moms)

Kr. 83,96

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 4Kr. 67,17
5 - 9Kr. 54,16
10 - 49Kr. 46,08
50 - 99Kr. 40,32
100 +Kr. 33,81

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-630
Producentens varenummer:
SGT070R70HTO
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

P-kanal

Produkttype

Transistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

26A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

TO-LL

Serie

G-HEMT

Monteringstype

Overflade

Benantal

13

Drain source modstand maks. Rds

70mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-6, 7V

Effektafsættelse maks. Pd

231W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

8.5nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

2.4mm

Bredde

10.4mm

Længde

10.58mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 700 V 26 A e-mode PowerGaN transistor kombineret med en veletableret emballageteknologi. Den resulterende G-HEMT-enhed giver ekstremt lave ledningstab, høj strømkapacitet og ultrahurtig skiftefunktion for at muliggøre høj effekttæthed og uovertruffen effektivitet.

Opgraderingstilstand normalt slukket for transistor

Meget høj skiftehastighed

Høj effektstyringskapacitet

Ekstremt lave kapaciteter

Kelvin kildepude til optimal gate-driving

Nul omvendt genoprettelsesopladning

ESD-beskyttelse

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.