STMicroelectronics P-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 6 A 700 V Forbedring, 2 Ben, TO-252, G-HEMT

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 5,83

(ekskl. moms)

Kr. 7,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 214 enhed(er) afsendes fra 18. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 5,83

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-638
Producentens varenummer:
SGT350R70GTK
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

P-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

6A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

TO-252

Serie

G-HEMT

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

350mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

1.5nC

Effektafsættelse maks. Pd

47W

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

6.2mm

Højde

2.4mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 700 V 6 A e-mode PowerGaN transistor kombineret med en veletableret emballageteknologi. Den resulterende G-HEMT-enhed giver ekstremt lave ledningstab, høj strømkapacitet og ultrahurtig skiftefunktion for at muliggøre høj effekttæthed og uovertruffen effektivitet. Anbefales til forbruger QR-anvendelser med tænding med nulstrøm.

Opgraderingstilstand normalt slukket for transistor

Meget høj skiftehastighed

Høj effektstyringskapacitet

Ekstremt lave kapaciteter

Kelvin kildepude til optimal gate-driving

Nul omvendt genoprettelsesopladning

ESD-beskyttelse