STMicroelectronics P-kanal-Kanal, Transistor, 10 A 700 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 8,90

(ekskl. moms)

Kr. 11,12

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 12. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 8,90

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-636
Producentens varenummer:
SGT240R70ILB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Transistor

Kanaltype

P-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

10A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Serie

G-HEMT

Emballagetype

PowerFLAT

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

240mΩ

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

76W

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

2nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.9mm

Længde

8.1mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 700 V 10 A e-mode PowerGaN transistor kombineret med en veletableret emballageteknologi. Den resulterende G-HEMT-enhed giver ekstremt lave ledningstab, høj strømkapacitet og ultrahurtig skiftefunktion for at muliggøre høj effekttæthed og uovertruffen effektivitet.

Opgraderingstilstand normalt slukket for transistor

Meget høj skiftehastighed

Høj effektstyringskapacitet

Ekstremt lave kapaciteter

Kelvin kildepude til optimal gate-driving

Nul omvendt genoprettelsesopladning

ESD-beskyttelse