STMicroelectronics P-kanal-Kanal, Transistor, 21.7 A 700 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 16,23

(ekskl. moms)

Kr. 20,29

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 290 enhed(er) afsendes fra 08. juni 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 16,23
10 - 24Kr. 14,29
25 - 99Kr. 13,99
100 - 499Kr. 13,84
500 +Kr. 13,61

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-633
Producentens varenummer:
SGT105R70ILB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

P-kanal

Produkttype

Transistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21.7A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

PowerFLAT

Serie

G-HEMT

Monteringstype

Overflade

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

105mΩ

Kanalform

Forbedring

Portkildespænding maks.

-6, 7V

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.8nC

Effektafsættelse maks. Pd

158W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

8.1mm

Længde

8.1mm

Højde

0.9mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 700 V 21,7 A e-mode PowerGaN transistor kombineret med en veletableret emballageteknologi. Den resulterende G-HEMT-enhed giver ekstremt lave ledningstab, høj strømkapacitet og ultrahurtig skiftefunktion for at muliggøre høj effekttæthed og uovertruffen effektivitet.

Opgraderingstilstand normalt slukket for transistor

Meget høj skiftehastighed

Høj effektstyringskapacitet

Ekstremt lave kapaciteter

Kelvin kildepude til optimal gate-driving

Nul omvendt genoprettelsesopladning

ESD-beskyttelse

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.