STMicroelectronics P-kanal-Kanal, Transistor, 21.7 A 700 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 14,36

(ekskl. moms)

Kr. 17,95

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 25. februar 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 14,36

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-633
Producentens varenummer:
SGT105R70ILB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Transistor

Kanaltype

P-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21.7A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Serie

G-HEMT

Emballagetype

PowerFLAT

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

105mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

-6 to 7 V

Effektafsættelse maks. Pd

158W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.8nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Højde

0.9mm

Bredde

8.1 mm

Længde

8.1mm

COO (Country of Origin):
CN