STMicroelectronics P-kanal-Kanal, Transistor, 21.7 A 700 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 15,33

(ekskl. moms)

Kr. 19,16

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 13. april 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 15,33
10 - 24Kr. 14,89
25 - 99Kr. 14,51
100 - 499Kr. 14,21
500 +Kr. 13,84

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-633
Producentens varenummer:
SGT105R70ILB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Transistor

Kanaltype

P-kanal

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

21.7A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Serie

G-HEMT

Emballagetype

PowerFLAT

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

105mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

4.8nC

Portkildespænding maks.

-6 to 7 V

Effektafsættelse maks. Pd

158W

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

8.1 mm

Længde

8.1mm

Højde

0.9mm

COO (Country of Origin):
CN

Relaterede links