STMicroelectronics P-kanal-Kanal, Transistor, 11.5 A 700 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT
- RS-varenummer:
- 719-635
- Producentens varenummer:
- SGT190R70ILB
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 9,95
(ekskl. moms)
Kr. 12,44
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 9,95 |
| 10 - 24 | Kr. 8,83 |
| 25 - 99 | Kr. 8,60 |
| 100 - 499 | Kr. 8,53 |
| 500 + | Kr. 8,23 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-635
- Producentens varenummer:
- SGT190R70ILB
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Transistor | |
| Kanaltype | P-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 11.5A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 700V | |
| Emballagetype | PowerFLAT | |
| Serie | G-HEMT | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 8 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 190mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 83W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 2.8nC | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 0.9mm | |
| Længde | 8.1mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Transistor | ||
Kanaltype P-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 11.5A | ||
Drain source spænding maks. Vds 700V | ||
Emballagetype PowerFLAT | ||
Serie G-HEMT | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 8 | ||
Drain source modstand maks. Rds 190mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 83W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 2.8nC | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 0.9mm | ||
Længde 8.1mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 700 V 11,5 A e-mode PowerGaN transistor kombineret med en veletableret emballageteknologi. Den resulterende G-HEMT-enhed giver ekstremt lave ledningstab, høj strømkapacitet og ultrahurtig skiftefunktion for at muliggøre høj effekttæthed og uovertruffen effektivitet.
Opgraderingstilstand normalt slukket for transistor
Meget høj skiftehastighed
Høj effektstyringskapacitet
Ekstremt lave kapaciteter
Kelvin kildepude til optimal gate-driving
Nul omvendt genoprettelsesopladning
ESD-beskyttelse