STMicroelectronics P-kanal-Kanal, Transistor, 29 A 700 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 19,60

(ekskl. moms)

Kr. 24,50

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 300 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 19,60

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-632
Producentens varenummer:
SGT080R70ILB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

P-kanal

Produkttype

Transistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

PowerFLAT

Serie

G-HEMT

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

188W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.2nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

8.1mm

Højde

0.9mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 700 V 29 A e-mode PowerGaN transistor kombineret med en veletableret emballageteknologi. Den resulterende G-HEMT-enhed giver ekstremt lave ledningstab, høj strømkapacitet og ultrahurtig skiftefunktion for at muliggøre høj effekttæthed og uovertruffen effektivitet.

Opgraderingstilstand normalt slukket for transistor

Meget høj skiftehastighed

Høj effektstyringskapacitet

Ekstremt lave kapaciteter

Kelvin kildepude til optimal gate-driving

Nul omvendt genoprettelsesopladning

ESD-beskyttelse