STMicroelectronics P-kanal-Kanal, Transistor, 29 A 700 V Forbedring, 8 Ben, PowerFLAT, G-HEMT

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET

Indhold (1 enhed)*

Kr. 17,35

(ekskl. moms)

Kr. 21,69

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 02. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 +Kr. 17,35

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-632
Producentens varenummer:
SGT080R70ILB
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

P-kanal

Produkttype

Transistor

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

29A

Drain source spænding maks. Vds

700V

Emballagetype

PowerFLAT

Serie

G-HEMT

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

8

Drain source modstand maks. Rds

80mΩ

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

6.2nC

Effektafsættelse maks. Pd

188W

Portkildespænding maks.

-6 to 7 V

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

8.1 mm

Længde

8.1mm

Højde

0.9mm

COO (Country of Origin):
CN