STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 397 A 60 V Forbedring, 2 Ben, H2PAK-2, STH
- RS-varenummer:
- 719-651
- Producentens varenummer:
- STH345N6F7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 22.193,00
(ekskl. moms)
Kr. 27.741,00
(inkl. moms)
Lagerinformation er i øjeblikket ikke tilgængelig - Vend tilbage senere
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 22,193 | Kr. 22.193,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 719-651
- Producentens varenummer:
- STH345N6F7-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 397A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 60V | |
| Emballagetype | H2PAK-2 | |
| Serie | STH | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 2 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.2mΩ | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | ±20 V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 341W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 230nC | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 4.7mm | |
| Bredde | 10.4 mm | |
| Længde | 9.3mm | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 397A | ||
Drain source spænding maks. Vds 60V | ||
Emballagetype H2PAK-2 | ||
Serie STH | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 2 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.2mΩ | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. ±20 V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 341W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 230nC | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 4.7mm | ||
Bredde 10.4 mm | ||
Længde 9.3mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Relaterede links
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 397 A 60 V Forbedring H2PAK-2, STH
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 397 A 60 V Forbedring H2PAK, STH
- STMicroelectronics N-kanal-Kanal 55 A 650 V Forbedring H2PAK-7, Sct
- STMicroelectronics Type N-Kanal 180 A 100 V Forbedring H2PAK-2, STH200
- STMicroelectronics Type N-Kanal 20 A 1200 V Forbedring H2PAK-2, SiC MOSFET
- STMicroelectronics Type N-Kanal 12 A 1200 V Forbedring H2PAK, STB37N60
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 1500 V Forbedring H2PAK, MDmesh
- STMicroelectronics Type N-Kanal 55 A 30 V Forbedring HU3PAK, STH AEC-Q101