STMicroelectronics N-kanal MOSFET N-Kanal, Effekt MOSFET, 2.6 A 1500 V MOSFET, 3 Ben, H2PAK-2, STH4N150 AEC-Q101

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 38,30

(ekskl. moms)

Kr. 47,88

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 08. marts 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 38,30
10 - 99Kr. 25,13
100 - 499Kr. 18,55
500 +Kr. 16,31

*Vejledende pris

RS-varenummer:
881-431
Producentens varenummer:
STH4N150-2AG
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

2.6A

Drain source spænding maks. Vds

1500V

Emballagetype

H2PAK-2

Serie

STH4N150

Monteringstype

Overflademontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

10Ω

Kanalform

MOSFET

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

35.1nC

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30V

Transistorkonfiguration

N-kanal MOSFET

Driftstemperatur maks.

150°C

Længde

10.4mm

Bredde

4.7mm

Højde

15.8mm

Bilindustristandarder

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET er udviklet ved hjælp af PowerMESH teknologi. Denne enhed er designet til at sikre et højt spændingsniveau og robusthed til bilmarkedet.

Meget lav gate-opladning

100% lavine testet

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.