STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 292 A 100 V Forbedringstilstand, 3 Ben, H2PAK-2, STH280N10F8-2
- RS-varenummer:
- 800-457
- Producentens varenummer:
- STH280N10F8-2
- Brand:
- STMicroelectronics
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 22,37
(ekskl. moms)
Kr. 27,96
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- Plus 290 enhed(er) afsendes fra 17. august 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 22,37 |
| 10 - 24 | Kr. 19,75 |
| 25 - 99 | Kr. 17,65 |
| 100 - 499 | Kr. 15,11 |
| 500 + | Kr. 13,99 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 800-457
- Producentens varenummer:
- STH280N10F8-2
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 292A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 100V | |
| Serie | STH280N10F8-2 | |
| Emballagetype | H2PAK-2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.9mΩ | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 177nC | |
| Portkildespænding maks. | 4V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 341W | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Driftstemperatur maks. | 175°C | |
| Højde | 15.8mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 292A | ||
Drain source spænding maks. Vds 100V | ||
Serie STH280N10F8-2 | ||
Emballagetype H2PAK-2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.9mΩ | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 177nC | ||
Portkildespænding maks. 4V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 341W | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Driftstemperatur maks. 175°C | ||
Højde 15.8mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK | ||
Bredde 4.7mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 100 V N-kanal-forbedringstilstand Power MOSFET er designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret skotgate-struktur.
175 °C maksimal driftsforbindelsestemperatur
100% lavine testet
Fremragende FoM (fortjensttal)