STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 292 A 100 V Forbedringstilstand, 3 Ben, H2PAK-2, STH280N10F8-2

STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 16,01

(ekskl. moms)

Kr. 20,01

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 290 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 3999Kr. 16,01
4000 +Kr. 15,41

*Vejledende pris

RS-varenummer:
800-457
Producentens varenummer:
STH280N10F8-2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Kanaltype

N-kanal

Produkttype

Effekt MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

292A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

STH280N10F8-2

Emballagetype

H2PAK-2

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.9mΩ

Kanalform

Forbedringstilstand

Portkildespænding maks.

4V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

177nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

341W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Bredde

4.7mm

Standarder/godkendelser

ECOPACK

Højde

15.8mm

Længde

10.4mm

Bilindustristandarder

Nej

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 100 V N-kanal-forbedringstilstand Power MOSFET er designet i STripFET F8-teknologi med en forbedret skotgate-struktur.

175 °C maksimal driftsforbindelsestemperatur

100% lavine testet

Fremragende FoM (fortjensttal)

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.