STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 6 A 1200 V Forbedringstilstand, 3 Ben, H2PAK-2, STH285N10F8-6AG
- RS-varenummer:
- 800-461
- Producentens varenummer:
- STH8N120K5-2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Der er mulighed for mængderabat
Indhold (1 enhed)*
Kr. 35,16
(ekskl. moms)
Kr. 43,95
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 114 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 35,16 |
| 10 - 49 | Kr. 34,18 |
| 50 - 99 | Kr. 33,06 |
| 100 + | Kr. 28,57 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 800-461
- Producentens varenummer:
- STH8N120K5-2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | STH285N10F8-6AG | |
| Emballagetype | H2PAK-2 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.65mΩ | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 14.4nC | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.5V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 165W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 15.8mm | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | ECOPACK | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie STH285N10F8-6AG | ||
Emballagetype H2PAK-2 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.65mΩ | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 14.4nC | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.5V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 165W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 15.8mm | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser ECOPACK | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics højspændings N-kanals Power MOSFET er designet ved hjælp af MDmesh K5-teknologi baseret på en innovativ proprietær vertikal struktur. Resultatet er en dramatisk reduktion af modstand ved tænding og ultralav gate-opladning til anvendelser, der kræver fremragende effekttæthed og høj effektivitet.
AEC-Q101 kvalificeret
Industriens laveste RDS(on) x område
Industriens bedste FoM (fortjenstindikator)
Ultralav gate-ladning
100% lavine testet
Zener-beskyttet