STMicroelectronics N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 6 A 1200 V Forbedringstilstand, 3 Ben, H2PAK-2, MDmesh K5 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 814-401
- Producentens varenummer:
- ST2H8N120K5AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 22.979,00
(ekskl. moms)
Kr. 28.724,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 07. december 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 - 3000 | Kr. 22,979 | Kr. 22.979,00 |
| 4000 + | Kr. 22,887 | Kr. 22.887,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 814-401
- Producentens varenummer:
- ST2H8N120K5AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1200V | |
| Serie | MDmesh K5 | |
| Emballagetype | H2PAK-2 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.65Ω | |
| Kanalform | Forbedringstilstand | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 165W | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 10.98mm | |
| Højde | 15.55mm | |
| Længde | 10.98mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1200V | ||
Serie MDmesh K5 | ||
Emballagetype H2PAK-2 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.65Ω | ||
Kanalform Forbedringstilstand | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 165W | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 10.98mm | ||
Højde 15.55mm | ||
Længde 10.98mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals effekt-MOSFET leverer pålidelig højspændingsydelse til krævende anvendelser, der sikrer optimal effektivitet og effekttæthed i bilmiljøer.
Bilkvalitet, AEC-Q101-kvalificeret for øget pålidelighed
Ultra-lav gate-ladning og meget lav fortjenstfaktor for reduceret effekttab
1200 V maksimal drain-source-spænding med en maksimal drænstrøm på 6 A
Designet med Advanced MDmesh K5-teknologi for fremragende termisk ydeevne