STMicroelectronics N-kanal MOSFET N-kanal-Kanal, Effekt MOSFET, 2.6 A 1500 V MOSFET, 3 Ben, H2PAK-2, STH4N150 AEC-Q101
- RS-varenummer:
- 877-308
- Producentens varenummer:
- STH4N150-2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
STANDARD BILLEDE, SE DATABLAD
Indhold (1 rulle af 1000 enheder)*
Kr. 17.718,00
(ekskl. moms)
Kr. 22.148,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 04. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 1000 + | Kr. 17,718 | Kr. 17.718,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 877-308
- Producentens varenummer:
- STH4N150-2AG
- Brand:
- STMicroelectronics
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | STMicroelectronics | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | N-kanal | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 2.6A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 1500V | |
| Emballagetype | H2PAK-2 | |
| Serie | STH4N150 | |
| Monteringstype | Overflademontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 10Ω | |
| Kanalform | MOSFET | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 35.1nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal MOSFET | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Højde | 15.8mm | |
| Længde | 10.4mm | |
| Bilindustristandarder | AEC-Q101 | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand STMicroelectronics | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype N-kanal | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 2.6A | ||
Drain source spænding maks. Vds 1500V | ||
Emballagetype H2PAK-2 | ||
Serie STH4N150 | ||
Monteringstype Overflademontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 10Ω | ||
Kanalform MOSFET | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 35.1nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Transistorkonfiguration N-kanal MOSFET | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.7mm | ||
Højde 15.8mm | ||
Længde 10.4mm | ||
Bilindustristandarder AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET er udviklet ved hjælp af PowerMESH teknologi. Denne enhed er designet til at sikre et højt spændingsniveau og robusthed til bilmarkedet.
Meget lav gate-opladning
100% lavine testet