STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 180 A 100 V Forbedring, 3 Ben, H2PAK-2, STH200

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 enhed)*

Kr. 32,61

(ekskl. moms)

Kr. 40,76

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 880 enhed(er) afsendes fra 23. marts 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 32,61
10 - 99Kr. 31,79
100 - 249Kr. 31,12
250 - 499Kr. 30,59
500 +Kr. 29,99

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
234-8896
Producentens varenummer:
STH200N10WF7-2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

180A

Drain source spænding maks. Vds

100V

Serie

STH200

Emballagetype

H2PAK-2

Monteringstype

Overflade

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

4mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

20 V

Effektafsættelse maks. Pd

340W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

93nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

175°C

Standarder/godkendelser

No

Bilindustristandarder

Nej

STMicroelectronics N-kanal Power MOSFET anvender STripFET F7-teknologien med en forbedret renchegate-struktur, der øger lineær mode-modstands-evne og giver en bredere SOA kombineret med en meget lav modstand i tændt tilstand. Den resulterende MOSFET sikrer den bedste afdrift mellem lineær tilstand og skiftefunktion.

Klassens bedste SOA-kapacitet

Kan håndtere store strømstød

Ekstremt lav modstand ved tændt

Relaterede links