STMicroelectronics N-Kanal, Effekt MOSFET, 397 A 60 V Forbedring, 2 Ben, H2PAK-2, STH

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (1 enhed)*

Kr. 39,79

(ekskl. moms)

Kr. 49,74

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • Plus 300 enhed(er) afsendes fra 09. oktober 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
1 - 9Kr. 39,79
10 - 99Kr. 29,10
100 - 499Kr. 22,51
500 - 999Kr. 20,05
1000 +Kr. 16,76

*Vejledende pris

RS-varenummer:
719-652
Producentens varenummer:
STH345N6F7-2
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

397A

Drain source spænding maks. Vds

60V

Emballagetype

H2PAK-2

Serie

STH

Monteringstype

Overflade

Benantal

2

Drain source modstand maks. Rds

1.2mΩ

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

230nC

Effektafsættelse maks. Pd

341W

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

20V

Driftstemperatur maks.

175°C

Længde

9.3mm

Bredde

10.4mm

Højde

4.7mm

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics N-kanals Power MOSFET udnytter STripFET F7-teknologi med en forbedret trinch-gate-struktur, der resulterer i en meget lav modstand i tændt tilstand, samtidig med at den interne kapacitet og gate-ladning reduceres for hurtigere og mere effektiv omskiftning.

Blandt de laveste RDS(on) på markedet

Fremragende FoM (fortjensttal)

Lavt Crss/Ciss-forhold for EMI-immunitet

Høj lavine-robusthed

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.