Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 20 A 800 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, EF

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatter

Indhold (2 enheder, i en pakke med 2)*

Kr. 67,47

(ekskl. moms)

Kr. 84,34

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
På lager
  • 30 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"

Enheder
Per stk.
Pr pakke*
2 - 18Kr. 33,735Kr. 67,47
20 - 48Kr. 31,79Kr. 63,58
50 - 98Kr. 28,76Kr. 57,52
100 - 198Kr. 27,115Kr. 54,23
200 +Kr. 25,395Kr. 50,79

*Vejledende pris

Forpakningsmuligheder
RS-varenummer:
239-5383
Producentens varenummer:
SIHP24N80AEF-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

20A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

JEDEC TO-220AB

Serie

EF

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

0.195Ω

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

208W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

90nC

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

RoHS

Bilindustristandarder

Nej

Vishay EF-serie Power MOSFET, 800 V drain source-spænding, 20 A kontinuerlig drain-strøm - SIHP24N80AEF-GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til effektelektronik med gennemgående hul. Den er beregnet til brug i miljøer, der kræver robust omskiftning ved høje spændinger og strømme, og leverer kontrolleret ledning og hurtig omskiftning til industrielle anvendelser og konvertere, mens den fungerer over et meget bredt temperaturområde.

Egenskaber og fordele:


• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 20 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 0.195 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 208 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 90 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skiftedynamik
• 30 V gate-source maks. beskytter gate-integriteten

Anvendelser


• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertertrin
• Ideel til primære omskifterfunktioner for strømforsyning
• Anvendes sammen med motordrev-front-end-kredsløb
• Kan bruges til omskiftning af industrielle invertere
• Velegnet til laboratoriehøjspændingstestplader

Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den?


Den leveres i en TO-220AB-pakke og er beregnet til montering gennem hul for at muliggøre nem køleplade og montering på chassis.

Hvilket termisk område kan den modstå i krævende miljøer?


Enheden er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og kan rumme brede omgivelses- og forhøjede forbindelsestemperaturer.

Hvordan påvirker den fremadgående spænding koblingens ydeevne?


Den typiske fremadgående spænding på 1,2 V angiver ledningstærskeladfærd under kabinet-diode-ledning og påvirker tabsberegninger under omvendt gendannelse og frie hjul.

Er denne enhed velegnet til design i bilstandarder?


Det er ikke udpeget til at opfylde bilstandarder og bør ikke antages at være i overensstemmelse med specifikke krav til biler.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.