Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 20 A 800 V, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, EF
- RS-varenummer:
- 239-5382
- Producentens varenummer:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (50 enheder, i en tube med 50)*
Kr. 718,10
(ekskl. moms)
Kr. 897,60
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 15. april 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rør* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | Kr. 14,362 | Kr. 718,10 |
| 100 - 200 | Kr. 13,50 | Kr. 675,00 |
| 250 + | Kr. 12,475 | Kr. 623,75 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 239-5382
- Producentens varenummer:
- SIHP24N80AEF-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 20A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | EF | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 0.195Ω | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 90nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 208W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 20A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie EF | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 0.195Ω | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 90nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 208W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay EF-serie Power MOSFET, 800 V drain source-spænding, 20 A kontinuerlig drain-strøm - SIHP24N80AEF-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanals koblingsenhed, der er designet til effektelektronik med gennemgående hul. Den er beregnet til brug i miljøer, der kræver robust omskiftning ved høje spændinger og strømme, og leverer kontrolleret ledning og hurtig omskiftning til industrielle anvendelser og konvertere, mens den fungerer over et meget bredt temperaturområde.
Egenskaber og fordele:
• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 20 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 0.195 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 208 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 90 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skiftedynamik
• 30 V gate-source maks. beskytter gate-integriteten
• 20 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter håndtering af tung belastning
• 0.195 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab
• 208 W effekttab muliggør drift med høj effekt
• 90 nC typisk gate-ladning giver forudsigelig skiftedynamik
• 30 V gate-source maks. beskytter gate-integriteten
Anvendelser
• Velegnet til højspændings DC-DC-konvertertrin
• Ideel til primære omskifterfunktioner for strømforsyning
• Anvendes sammen med motordrev-front-end-kredsløb
• Kan bruges til omskiftning af industrielle invertere
• Velegnet til laboratoriehøjspændingstestplader
• Ideel til primære omskifterfunktioner for strømforsyning
• Anvendes sammen med motordrev-front-end-kredsløb
• Kan bruges til omskiftning af industrielle invertere
• Velegnet til laboratoriehøjspændingstestplader
Hvilken pakke og monteringsmetode bruger den?
Den leveres i en TO-220AB-pakke og er beregnet til montering gennem hul for at muliggøre nem køleplade og montering på chassis.
Hvilket termisk område kan den modstå i krævende miljøer?
Enheden er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C og kan rumme brede omgivelses- og forhøjede forbindelsestemperaturer.
Hvordan påvirker den fremadgående spænding koblingens ydeevne?
Den typiske fremadgående spænding på 1,2 V angiver ledningstærskeladfærd under kabinet-diode-ledning og påvirker tabsberegninger under omvendt gendannelse og frie hjul.
Er denne enhed velegnet til design i bilstandarder?
Det er ikke udpeget til at opfylde bilstandarder og bør ikke antages at være i overensstemmelse med specifikke krav til biler.
Relaterede links
- Vishay N-Kanal 20 A 800 V JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 8 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 18 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 29 A 650 V Forbedring JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay 1 N-Kanal Enkelt 21 A 600 V JEDEC TO-220AB, EF
- Vishay N-Kanal 4.4 A 800 V JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 13 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, E
- Vishay N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE30