Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.1 A 800 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFBE30
- RS-varenummer:
- 541-1124
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-208
- Producentens varenummer:
- IRFBE30PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 20,05
(ekskl. moms)
Kr. 25,06
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 137 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 132 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 20,05 |
| 10 - 49 | Kr. 19,37 |
| 50 - 99 | Kr. 18,55 |
| 100 - 249 | Kr. 17,50 |
| 250 + | Kr. 16,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1124
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-208
- Producentens varenummer:
- IRFBE30PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Kanaltype | Type N | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFBE30 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 78nC | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Højde | 9.01mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Kanaltype Type N | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFBE30 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 78nC | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Højde 9.01mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Bredde 4.7mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRFBE30 seriens Power MOSFET, 800 V drain source spænding, 4,1 A kontinuerlig drain strøm - IRFBE30PBF
Denne effekt-MOSFET er en N-kanal-transistor med gennemgående hul, der er designet til kobling og strømstyring i industriel elektronik. Den fungerer som en forstærkningsenhed, der er velegnet til højspændingsanvendelser, og tilbyder en kombination af spændingshåndtering og gate-drevkapacitet til krævende elektriske systemer.
Egenskaber og fordele:
• 800 V drain-source-spænding muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 4,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme • 3 Ω maks. Rds reducerer strømtab under ledning • 78 nC typisk gate-ladning giver mulighed for forudsigelig skifteadfærd • 125 W effekttab styrer termisk belastning i strømkredsløb • Driftsområde fra -55 °C til 150 °C tåler brede ekstreme temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Ideel til industrielle motordrevskiftetrin • Anvendes til halvlederrelæ og beskyttelseskredsløb • Kan bruges til belastningsswitching i automatiseringspaneler
Hvilke gate-spændingsgrænser skal jeg overholde under design?
Gate-drev skal forblive inden for ±20 V maks. i forhold til kilden for at forhindre gate-oxidbelastning.
Hvordan skal termisk styring tilgås på et printkort?
Brug en køleelement på TO‐220AB-pakken eller en termisk ledende monteringsløsning til at sprede op til 125 W effekt under nominelle forhold.
Hvilke koblingsegenskaber påvirker EMI i mit design?
Den typiske gate-ladning på 78 nC ved det specificerede gate-drev påvirker stignings- og faldtider, hvilket påvirker skifteovergange og elektromagnetiske emissioner.
Er denne enhed velegnet til overflademonteringsteknikker?
Den leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul, der er beregnet til mekanisk montering og konventionel montering med gennemgående hul.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring TO-220, IRFBE
- Vishay Type N-Kanal 1.8 A 800 V Forbedring TO-220, IRFBE
- Vishay Type N-Kanal 11 A 500 V Forbedring TO-220, IRFB
- Vishay Type N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring IPAK, SiHU4N80AE
- STMicroelectronics Type N-Kanal 4.3 A 800 V Forbedring TO-220
- Vishay Type N-Kanal 3.6 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- Vishay Type N-Kanal 1.7 A 900 V Forbedring JEDEC TO-220AB, IRFBE
- STMicroelectronics Type N-Kanal 7 A 800 V Forbedring TO-220, STP