Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.1 A 800 V Forbedring, 3 Ben, JEDEC TO-220AB, IRFBE30
- RS-varenummer:
- 541-1124
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-208
- Producentens varenummer:
- IRFBE30PBF
- Brand:
- Vishay
Der er mulighed for mængderabat
Se mængderabatterIndhold (1 enhed)*
Kr. 20,05
(ekskl. moms)
Kr. 25,06
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
På lager
- 117 enhed(er) klar til afsendelse
- Plus 124 enhed(er) klar til afsendelse fra et alternativt lager
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. |
|---|---|
| 1 - 9 | Kr. 20,05 |
| 10 - 49 | Kr. 19,37 |
| 50 - 99 | Kr. 18,55 |
| 100 - 249 | Kr. 17,50 |
| 250 + | Kr. 16,68 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 541-1124
- Elfa Distrelec varenummer:
- 171-15-208
- Producentens varenummer:
- IRFBE30PBF
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.1A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Emballagetype | JEDEC TO-220AB | |
| Serie | IRFBE30 | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 3Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 78nC | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 125W | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Portkildespænding maks. | 20V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.8V | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Bredde | 4.7mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 9.01mm | |
| Længde | 10.41mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.1A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Emballagetype JEDEC TO-220AB | ||
Serie IRFBE30 | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 3Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 78nC | ||
Effektafsættelse maks. Pd 125W | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Portkildespænding maks. 20V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.8V | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Bredde 4.7mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 9.01mm | ||
Længde 10.41mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay IRFBE30 seriens effekt-MOSFET, 800 V drain-source spænding, 4,1 A kontinuerlig drain-strøm - IRFBE30PBF
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-transistor, der er designet til koblings- og forstærkningsopgaver i krævende elektroniske systemer. Den fungerer over et bredt temperaturområde og leveres i en TO-220AB-pakke med gennemgående hul med tre ben, hvilket gør den velegnet til brugbare strømkonstruktioner, hvor termisk håndtering og nem montering er prioritet.
Egenskaber og fordele:
• 800 V drain-source-klassificering muliggør højspændingsswitching
• 4,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 125 W effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 3 Ω maksimal Rds(on) forenkler krav til drev ved lave skiftehastigheder
• 78 nC typisk gate-opladning reducerer gate-driverens energibehov
• 20 V gate-source-grænse beskytter gate under normale styrespændinger
• 4,1 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter moderate belastningsstrømme
• 125 W effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 3 Ω maksimal Rds(on) forenkler krav til drev ved lave skiftehastigheder
• 78 nC typisk gate-opladning reducerer gate-driverens energibehov
• 20 V gate-source-grænse beskytter gate under normale styrespændinger
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere
• Ideel til switch-mode-strøm instrumentering
• Anvendes sammen med diskrete lineære regulatorer, der kræver høje Vds
• Kan bruges til industriel motorstyring ved moderate strømstyrker
• Velegnet til prototyper med gennemgående huller og reparationsarbejde
• Ideel til switch-mode-strøm instrumentering
• Anvendes sammen med diskrete lineære regulatorer, der kræver høje Vds
• Kan bruges til industriel motorstyring ved moderate strømstyrker
• Velegnet til prototyper med gennemgående huller og reparationsarbejde
Hvilke ekstreme temperaturer kan den modstå i drift?
Den er specificeret til drift fra -55 °C op til 150 °C, hvilket understøtter anvendelser, der er udsat for brede omgivelsesvariationer.
Hvordan monteres og tilsluttes komponenten på et kredsløb?
Den bruger et TO-220AB-hus med gennemgående hul med tre ben til nem PCB-montering og konventionel varmeafledende fastgørelse.
Hvilke hensyn til gate-driver skal overholdes?
Hold gate-drive-amplituden inden for maks. 20 V for at undgå at overskride gate-source-mærkespændingen, og design drivkredsløb til at forsyne gate-ladning omkring 78 nC for effektiv omskiftning.
Hvilken type ledningstilstand anvender den?
Det er en N-kanal-enhed med forstærkning, der kræver en positiv gate-spænding i forhold til kilden til ledning.