Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.1 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, SiHU4N80AE Nej

Se alle MOSFET
Der er mulighed for mængderabat

Indhold (1 rør af 75 enheder)*

Kr. 678,975

(ekskl. moms)

Kr. 848,70

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 15. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rør*
75 - 75Kr. 9,053Kr. 678,98
150 - 300Kr. 6,79Kr. 509,25
375 +Kr. 5,613Kr. 420,98

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-4879
Producentens varenummer:
SIHU4N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Kanaltype

Type N

Produkttype

MOSFET

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.1A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

IPAK

Serie

SiHU4N80AE

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.44Ω

Kanalform

Forbedring

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

11nC

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Min. driftstemperatur

-55°C

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.22mm

Bredde

2.38 mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Power MOSFET i E-serien

Lavt figure-of-merit (FOM) Ron x Qg

Lav effektiv kapacitet (lav kapacitet)

Færre skift og ledningstab

ANVENDELSER

Strømforsyninger til server og telekom

Switch-mode strømforsyning (SMPS)

Effektfaktorkorrektion-strømforsyninger (PFC)

Relaterede links