STMicroelectronics Type N-Kanal, MOSFET, 5 A 650 V Forbedring, 3 Ben, IPAK Nej

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 2500 enheder)*

Kr. 15.865,00

(ekskl. moms)

Kr. 19.830,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 04. maj 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
2500 +Kr. 6,346Kr. 15.865,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
188-8290
Producentens varenummer:
STD5NM60T4
Brand:
STMicroelectronics
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

STMicroelectronics

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

5A

Drain source spænding maks. Vds

650V

Emballagetype

IPAK

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1Ω

Kanalform

Forbedring

Min. driftstemperatur

-55°C

Gennemgangsspænding Vf

1.5V

Effektafsættelse maks. Pd

96W

Portkildespænding maks.

30 V

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

13nC

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Længde

6.6mm

Højde

6.2mm

Bredde

2.4 mm

Bilindustristandarder

Nej

MDmesh™ er en ny revolutionerende Power MOSFET-teknologi, der forbinder processen med flere afløb med virksomhedens horisontale PowerMESH™-layout. Det resulterende produkt har en enestående lav modstand, imponerende høj dv/dt og fremragende lavine-egenskaber. Anvendelsen af virksomhedens egen båndteknik giver en samlet dynamisk præstation.

Lav indgangskapacitet og gate-opladning

Høj dv/dt og lavine-funktionalitet

Lav indgangsmodstand for gate

Anvendelsesområder

Skift af programmer

Relaterede links