Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, E

RS-varenummer:: 204-7228
Producentens varenummer:: SIHU5N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Vishay N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, E

Kan ikke leveres i øjeblikket

Beklager, men vi ved ikke, hvornår dette er på lager igen.

RS-varenummer:: 204-7228
Producentens varenummer:: SIHU5N80AE-GE3
Brand:: Vishay

Egenskaber

Tekniske referencer

Lovgivning og oprindelsesland

Generel produktinformation

Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.

Vælg alle	Attribut	Værdi
	Brand	Vishay
	Kanaltype	N
	Produkttype	Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id	4.4A
	Drain source spænding maks. Vds	800V
	Serie	E
	Emballagetype	IPAK
	Monteringstype	Hulmontering
	Benantal	3
	Drain source modstand maks. Rds	1.35Ω
	Kanalform	Forbedring
	Min. driftstemperatur	-55°C
	Effektafsættelse maks. Pd	62.5W
	Portkildespænding maks.	30V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk	16.5nC
	Gennemgangsspænding Vf	1.2V
	Driftstemperatur maks.	150°C
	Bredde	2.39mm
	Længde	6.73mm
	Standarder/godkendelser	RoHS
	Højde	6.22mm
	Bilindustristandarder	Nej

	Vælg alle
	Brand Vishay
	Kanaltype N
	Produkttype Effekt MOSFET
	Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A
	Drain source spænding maks. Vds 800V
	Serie E
	Emballagetype IPAK
	Monteringstype Hulmontering
	Benantal 3
	Drain source modstand maks. Rds 1.35Ω
	Kanalform Forbedring
	Min. driftstemperatur -55°C
	Effektafsættelse maks. Pd 62.5W
	Portkildespænding maks. 30V
	Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.5nC
	Gennemgangsspænding Vf 1.2V
	Driftstemperatur maks. 150°C
	Bredde 2.39mm
	Længde 6.73mm
	Standarder/godkendelser RoHS
	Højde 6.22mm
	Bilindustristandarder Nej

Datasheet - SIHU5N80AE-GE3

Vishay serie E Power MOSFET, 800 V maksimal drain source spænding, 62,5 W maksimal effekttab - SIHU5N80AE-GE3

Denne effekt-MOSFET er en højspændingsswitch-enhed, der er designet til krævende industrielle strømkonverterings- og styringsroller. Den fungerer som en N-kanal-forstærkningstransistor og er beregnet til montering af printkort med gennemgående huller i et IPAK-hus. Komponenten understøtter miljøer med forhøjede temperaturer og giver et tydeligt portdrevområde for robust skifteadfærd i strømsystemer.

Egenskaber og fordele:

• 800 V drain-til-kilde-klassificering muliggør højspændingskoblingsanvendelser
• 4,4 A kontinuerlig afløbsstrøm understøtter vedvarende belastning
• 1.35 Ω lav Rds(on) reducerer ledningstab under belastning
• 16.5 nC typisk gate-ladning muliggør effektivt gate-drive-design
• 62.5 W maks. effekttab muliggør betydelig varmehåndtering
• 30 V maksimal gate-source-spænding sikrer gate-isoleringsmargen

Anvendelser

• Velegnet til primære koblingsopgaver for SMPS med høj spænding
• Ideel til industrielle motordrev inverterfrontender
• Anvendes sammen med boost-omformere i effektfaktorkredsløb
• Kan bruges til udskiftning af højspændingsrelæer
• Anvendes til energiforvaltning og beskyttelse af strømforsyning

Hvilke ekstreme temperaturer kan den tolerere under drift?

Den er normeret til at fungere i et område fra -55 °C til 150 °C, hvilket giver mulighed for brug i miljøer med stor termisk variation.

Hvilken pakke og monteringstype bruger den til printmontering?

Enheden leveres i IPAK-form og er beregnet til montering gennem hul for at lette varmeledning til køleelementer.

Hvilken fremadspændingsegenskab påvirker ledning ved moderate strømme?

Komponenten udviser en fremadgående spænding på 1,2 V, hvilket er relevant ved vurdering af ledningsevne og omvendt genopretningstab.

Er produktet velegnet til anvendelser med RoHS-krav?

Den er i overensstemmelse med RoHS-standarder, hvilket giver mulighed for implementering, hvor overholdelse af begrænsede stoffer er nødvendig.