Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, E

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 10.476,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.095,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,492Kr. 10.476,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7228
Producentens varenummer:
SIHU5N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

Effekt MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Serie

E

Emballagetype

IPAK

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.35Ω

Kanalform

Forbedring

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Portkildespænding maks.

30V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Bredde

2.39mm

Længde

6.73mm

Standarder/godkendelser

RoHS

Højde

6.22mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay seriens E-effekt MOSFET, 800 V drain-kildespænding, 4,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHU5N80AE-GE3


Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til kobling og strømkonvertering i industrielle og elektroniske systemer. Den leveres i en IPAK-pakke med gennemgående hul, der er beregnet til robust kortmontering og nem installation i styrings- og strømforsyningsenheder. Enheden er velegnet, hvor der kræves forhøjet drain-til-kilde-spændingskapacitet og moderat strømhåndtering.

Egenskaber og fordele:


• 800 V Vds mærkeværdi, der muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 4,4 A kontinuerlig afløbsstrøm for moderat belastningslevering • 1,35 Ω Rds(on) minimerer ledningstab under belastning • 62,5 W effekttab understøtter vedvarende termisk belastning • 16,5 nC typisk gate-ladning til forudsigelig omskiftningskontrol • 150 °C maksimal driftstemperatur til miljøer med høje temperaturer

Anvendelser


• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Ideel til industrielle motordrev i frontender • Anvendes til omskiftning på netsiden i belysningskontroller • Kan bruges til snubber- eller klemmekredsløb i strømmoduler • Velegnet til prototypefremstilling og reparation i hulmontering

Hvilket gate-spændingsområde skal jeg anvende for sikker drift?


Enheden accepterer op til 30 V mellem gate og kilde

Design bruger typisk portdrevniveauer, der er kompatible med det maksimale for at undgå portoverbelastning.

Hvordan påvirker gate-opladningen valg af driver?


En 16,5 nC gate-ladning på det nominelle portdrev bestemmer den krævede driverstrøm og koblingstab

Vælg en driver, der kan levere tilstrækkelig spidsstrøm til den ønskede skiftehastighed.

Hvilke omgivelsestemperaturer kan den modstå under drift?


Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, så termisk styring og overvejelser om samling til omgivelser forbliver vigtige ved høje temperaturer.

Hvilken monteringstype kræves der på printkortet?


Det er en gennemgående hulkomponent i et IPAK-hus, så designene skal indeholde passende borehuller og loddepuder for mekanisk stabilitet og varmeoverførsel.

Relaterede links

Hold dig opdateret om vores seneste produkter og services

E-mail-adresse

De personoplysninger, du afgiver, når du tilmelder dig nyhedsbrevet, vil blive behandlet i overensstemmelse med vores privatlivspolitik.