Vishay Type N-Kanal, MOSFET, 4.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, SiHU5N80AE

Se alle MOSFET

Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*

Kr. 10.650,00

(ekskl. moms)

Kr. 13.320,00

(inkl. moms)

Add to Basket
Vælg eller skriv antal
Ordrer under Kr. 500,00 (ekskl. moms) koster Kr. 99,00.
Midlertidigt ikke på lager
  • Afsendelse fra 01. juli 2026
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder
Per stk.
Pr rulle*
3000 +Kr. 3,55Kr. 10.650,00

*Vejledende pris

RS-varenummer:
204-7228
Producentens varenummer:
SIHU5N80AE-GE3
Brand:
Vishay
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle

Brand

Vishay

Produkttype

MOSFET

Kanaltype

Type N

Drain-strøm kontinuerlig maks. Id

4.4A

Drain source spænding maks. Vds

800V

Emballagetype

IPAK

Serie

SiHU5N80AE

Monteringstype

Hulmontering

Benantal

3

Drain source modstand maks. Rds

1.35Ω

Kanalform

Forbedring

Gate-ladning ved Qg Vgs typisk

16.5nC

Min. driftstemperatur

-55°C

Effektafsættelse maks. Pd

62.5W

Portkildespænding maks.

30 V

Gennemgangsspænding Vf

1.2V

Driftstemperatur maks.

150°C

Standarder/godkendelser

No

Højde

6.22mm

Bredde

2.39 mm

Længde

6.73mm

Bilindustristandarder

Nej

Vishay E seriens Power MOSFET har en lav figure-of-Merit (FOM) Ron x QG og en lav indgangskapacitet (CISS).

Meget lav portopladning (Qg)

Nominel lavine-energi (UIS)

Relaterede links