Vishay Type N-Kanal, Effekt MOSFET, 4.4 A 800 V Forbedring, 3 Ben, IPAK, E
- RS-varenummer:
- 204-7228
- Producentens varenummer:
- SIHU5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Indhold (1 rulle af 3000 enheder)*
Kr. 10.476,00
(ekskl. moms)
Kr. 13.095,00
(inkl. moms)
GRATIS levering for online ordrer over 600,00 kr.
Midlertidigt ikke på lager
- Afsendelse fra 01. januar 2027
Har du brug for mere? Indtast den mængde, du har brug for, og klik på "Tjek leveringsdatoer"
Enheder | Per stk. | Pr rulle* |
|---|---|---|
| 3000 + | Kr. 3,492 | Kr. 10.476,00 |
*Vejledende pris
- RS-varenummer:
- 204-7228
- Producentens varenummer:
- SIHU5N80AE-GE3
- Brand:
- Vishay
Egenskaber
Tekniske referencer
Lovgivning og oprindelsesland
Generel produktinformation
Find lignende produkter ved at vælge én eller flere attributter.
Vælg alle | Attribut | Værdi |
|---|---|---|
| Brand | Vishay | |
| Kanaltype | Type N | |
| Produkttype | Effekt MOSFET | |
| Drain-strøm kontinuerlig maks. Id | 4.4A | |
| Drain source spænding maks. Vds | 800V | |
| Serie | E | |
| Emballagetype | IPAK | |
| Monteringstype | Hulmontering | |
| Benantal | 3 | |
| Drain source modstand maks. Rds | 1.35Ω | |
| Kanalform | Forbedring | |
| Portkildespænding maks. | 30V | |
| Gennemgangsspænding Vf | 1.2V | |
| Gate-ladning ved Qg Vgs typisk | 16.5nC | |
| Min. driftstemperatur | -55°C | |
| Effektafsættelse maks. Pd | 62.5W | |
| Driftstemperatur maks. | 150°C | |
| Længde | 6.73mm | |
| Bredde | 2.39mm | |
| Standarder/godkendelser | RoHS | |
| Højde | 6.22mm | |
| Bilindustristandarder | Nej | |
| Vælg alle | ||
|---|---|---|
Brand Vishay | ||
Kanaltype Type N | ||
Produkttype Effekt MOSFET | ||
Drain-strøm kontinuerlig maks. Id 4.4A | ||
Drain source spænding maks. Vds 800V | ||
Serie E | ||
Emballagetype IPAK | ||
Monteringstype Hulmontering | ||
Benantal 3 | ||
Drain source modstand maks. Rds 1.35Ω | ||
Kanalform Forbedring | ||
Portkildespænding maks. 30V | ||
Gennemgangsspænding Vf 1.2V | ||
Gate-ladning ved Qg Vgs typisk 16.5nC | ||
Min. driftstemperatur -55°C | ||
Effektafsættelse maks. Pd 62.5W | ||
Driftstemperatur maks. 150°C | ||
Længde 6.73mm | ||
Bredde 2.39mm | ||
Standarder/godkendelser RoHS | ||
Højde 6.22mm | ||
Bilindustristandarder Nej | ||
Vishay seriens E-effekt MOSFET, 800 V drain-kildespænding, 4,4 A maksimal kontinuerlig drain-strøm - SIHU5N80AE-GE3
Denne effekt-MOSFET er en højspændings N-kanal-forbedringsenhed, der er designet til kobling og strømkonvertering i industrielle og elektroniske systemer. Den leveres i en IPAK-pakke med gennemgående hul, der er beregnet til robust kortmontering og nem installation i styrings- og strømforsyningsenheder. Enheden er velegnet, hvor der kræves forhøjet drain-til-kilde-spændingskapacitet og moderat strømhåndtering.
Egenskaber og fordele:
• 800 V Vds mærkeværdi, der muliggør højspændingskoblingsanvendelser • 4,4 A kontinuerlig afløbsstrøm for moderat belastningslevering • 1,35 Ω Rds(on) minimerer ledningstab under belastning • 62,5 W effekttab understøtter vedvarende termisk belastning • 16,5 nC typisk gate-ladning til forudsigelig omskiftningskontrol • 150 °C maksimal driftstemperatur til miljøer med høje temperaturer
Anvendelser
• Velegnet til højspændingsstrømforsyninger og konvertere • Ideel til industrielle motordrev i frontender • Anvendes til omskiftning på netsiden i belysningskontroller • Kan bruges til snubber- eller klemmekredsløb i strømmoduler • Velegnet til prototypefremstilling og reparation i hulmontering
Hvilket gate-spændingsområde skal jeg anvende for sikker drift?
Enheden accepterer op til 30 V mellem gate og kilde
Design bruger typisk portdrevniveauer, der er kompatible med det maksimale for at undgå portoverbelastning.
Hvordan påvirker gate-opladningen valg af driver?
En 16,5 nC gate-ladning på det nominelle portdrev bestemmer den krævede driverstrøm og koblingstab
Vælg en driver, der kan levere tilstrækkelig spidsstrøm til den ønskede skiftehastighed.
Hvilke omgivelsestemperaturer kan den modstå under drift?
Den er specificeret til drift ned til -55 °C og op til 150 °C, så termisk styring og overvejelser om samling til omgivelser forbliver vigtige ved høje temperaturer.
Hvilken monteringstype kræves der på printkortet?
Det er en gennemgående hulkomponent i et IPAK-hus, så designene skal indeholde passende borehuller og loddepuder for mekanisk stabilitet og varmeoverførsel.
Relaterede links
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 800 V Forbedring IPAK, SiHU5N80AE
- Vishay Type N-Kanal 4.1 A 800 V Forbedring IPAK, SiHU4N80AE
- Vishay Type N-Kanal 2.9 A 800 V Forbedring IPAK, E
- Infineon Type N-Kanal 6 A 800 V Forbedring IPAK, CoolMOS P7
- STMicroelectronics Type N-Kanal 2.5 A 800 V Forbedring IPAK SuperMESH
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 800 V TO-220, E
- Vishay Type N-Kanal 4.4 A 850 V Forbedring TO-252, E
- STMicroelectronics Type N-Kanal 5 A 650 V Forbedring IPAK
